- 開關(guān)速度和損耗均得到改善
- 具有500V電壓等級
- 具有低至63ns的trr和114nC的Qrr
- 柵極電荷為34nC
- 電子設(shè)計
日前,Vishay Intertechnology宣布,推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)?,具有低?3ns的trr和114nC的Qrr,柵極電荷為34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性,從而能夠更好地抵御EMI,實(shí)現(xiàn)更高的效率,同時避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級,在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味著低傳導(dǎo)損耗,可以在用于LIPS逆變器、HID、PC電源和鎮(zhèn)流器的LLC、全橋、半橋和雙管正激拓?fù)渲泄?jié)省能源。
為了能可靠地工作,該器件進(jìn)行了完備的雪崩測試,可處理22A的脈沖峰值電流和8A的連續(xù)電流(由最高結(jié)溫限定)。
SiHF8N50L-E3采用TO-220 FULLPAK封裝,符合RoHS指令2002/95/EC。
新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。