- 熱分析和熱設計
- 估計IC中產(chǎn)生的熱量
- 估計電路板或散熱片散掉的熱量
- 估計部件將要運行的環(huán)境溫度
熱與冷都會對電路造成負面影響。在極高溫下，芯片可能燒毀（圖1）。更常見的情況是，如果你的設計達到未曾預料的溫度，很多部件都可能超出規(guī)定極限。當出現(xiàn)這種情況時，電路就可能表現(xiàn)出難以預料的行為。另外一個情況也同樣值得關注，即電路溫度從熱到冷，然后又從冷到熱。這種狀況會造成熱沖擊，也會毀壞元件。很多工程師并不關心自己的電路在低溫下的性能，但這種忽視是一個錯誤。半導體器件的性能在低溫下會發(fā)生顯著變化。雙極晶體管的基射結電壓在低溫下會大大升高（圖2和參考文獻1）。AnalogDevices產(chǎn)品開發(fā)工程經(jīng)理FranciscoSantos說：“如果你要設計一個能夠在負溫度下工作于1.8V的放大器，就要考慮當從室溫降到-40℃時，VBE（基射電壓）會增加130mV。這種情況將迫使設計者采用一組完全不同的放大器架構。”
很多放大器，如AnalogDevices的AD8045，在冷卻時會加速（圖3），而有些放大器（如AD8099）則在變冷時會降速。已退休的LinearTechnology信號處理產(chǎn)品前副總裁兼總經(jīng)理BillGross稱：“雙極晶體管在低溫下遇到的多數(shù)麻煩是低電壓工作。”他認為，較高的基射電壓和較小的電流增益都更難于滿足規(guī)格要求。他說：“較低的輸入阻抗和b（電流增益）的不匹配都會造成低溫下的大問題。尤其是當它們?yōu)槭覝剡\行作了調(diào)整時。較高的gm（跨導）很容易通過改變工作電流而得到補償，但這樣的話轉(zhuǎn)換速率就會變化。”
低溫會造成振蕩、不穩(wěn)定、過沖，以及不良的濾波性能。百萬分之幾測量法可以改變你的元件在高溫和低溫下的值。如果你預計IC內(nèi)核工作在-55℃~+85℃，則在25℃環(huán)境下只需60℃就到了最高溫度上限，而從環(huán)境溫度到-55℃是80℃溫差。所以，要查明你的錯誤就應檢查熱與冷兩種情況。Kettering大學（密歇根州Flint）電氣工程教授JamesMcLaughlin認為，當你將硅片加熱超過數(shù)百度時，它會“本質(zhì)化”。換句話說，溫度足夠高時，摻雜物會通過晶格作遷移，不再存在PN結，而只是一塊不純的導電硅片。那么連接線是否會爆炸？還是硅片繼續(xù)加熱至熔融，直至揮發(fā)掉？
IC在較高溫度下運行時的損壞難以捉摸。美國國家半導體公司的顧問和前產(chǎn)品工程師MartinDeLateur指出，在高于165℃的溫度時，模塑材料開始碳化。此時，模塑材料會轉(zhuǎn)變成為一種堅硬的灰色材料。釋氣，即某些材料捕捉、冷凍、吸收或吸附的氣體的緩慢釋放，會造成聚合添加物如阻燃劑的釋放。在低電平下，這種釋氣可以影響一片IC的長期和短期運行，因為它給芯片增加了離子或表面效應。連接線可能傳輸過高的電流，也會造成模塑材料的碳化。過高的電流會使碳管硬化，它可能使連接線熔化，從而保持管內(nèi)導電狀態(tài)。最后，更高的熱擴張會使鈍化層、內(nèi)核，或碳化模制化合物產(chǎn)生開裂，導致大規(guī)模故障。（軍用規(guī)范將過高電流定義為超過1.2×105A/cm2，因此軍隊強烈要求IC采用全密封的封裝。）當內(nèi)核上沒有塑料材料時，就不會發(fā)生燒焦和退化現(xiàn)象。油井儀器公司經(jīng)常以200℃對使用在自己產(chǎn)品中的硅IC進行測試并確定其特性。這些產(chǎn)品壽命有限，但工作時間仍比它們采用塑料封裝的情況要長得多。即使內(nèi)核溫度低于150℃，IC的壽命周期也會縮短。
1884年，荷蘭化學家JacobusHvan tHoff率先提出了Arrhenius方程，而瑞典化學家SvanteArrhenius則在五年后對其作了物理驗證和解釋。這個方程是：k=Ae(-Ea/RT)，其中k是速率系數(shù)，A是一個常量，Ea是活化能量，R是普適氣體常數(shù)，而T是以。k為單位的溫度。Arrhenius最初將該方程用于化學反應，描述反應速度隨溫度而加快（參考文獻2與參考文獻3）。今天的工程師們也用它描述電子器件在高溫下工作時的較短壽命。方程表明，溫度每升高10℃，器件的壽命減半。因此，降低設計中硅片的溫度很重要。如果你能將IC溫度從85℃降低到65℃，這些元件的壽命就能增加四倍。
問題的根源不僅出自熱或冷的靜態(tài)狀態(tài)，也可能是出在一個溫度到另一個溫度的轉(zhuǎn)變過程中。在極端情況下，熱沖擊會將電路板和器件裂成碎片。溫度梯度（會產(chǎn)生小電壓誤差）也可以由于焊接材料和管腳材料的熱電偶效應而產(chǎn)生麻煩（參考文獻4）。此外，溫度梯度本身可以是動態(tài)變化的。已故的BobWidlar是一位開創(chuàng)型的電子工程師，曾就職于美國國家半導體、Fairchild、Maxim和LinearTechnology，他曾收到過一個在1kHz時壞掉的原型硅片。Widlar認為熱波來自于輸出晶體管的輻射。這些熱波會通過硅內(nèi)核均勻散播。問題是，這片IC有兩個基準節(jié)點，它與輸出晶體管的距離不相等。在1kHz工作頻率下，基準節(jié)點之一處于一個熱谷中，而另一個則位于一個熱峰。這種情況會導致偏置電流的不均衡，使器件無法正常工作。由于這些熱梯度，有些電源設計者更喜歡用控制器，而不是內(nèi)置功率FET的IC。使用控制器時，F(xiàn)ET的熱量不會流過相同內(nèi)核、放大器和基準電路。
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熱分析
電路的熱分析分三個步驟。首先估計IC中產(chǎn)生的熱量。然后，估計電路板或散熱片散掉的熱量。最后，估計部件將要運行的環(huán)境溫度（圖4）。在估計元件產(chǎn)生的熱量時，DC分析通常沒什么價值。一只電壓為1V、流過1A電流的電阻器，會產(chǎn)生1W的熱量。但是，要估計交流或未確定的信號所產(chǎn)生的熱量就比較麻煩。首先，從電源端到接地腳的靜態(tài)電流總是在耗散一個直流功率。一個采用10V電源和5mA靜態(tài)
電流的器件會產(chǎn)生50mW熱量。但是，在運行中，該靜態(tài)電流可能有所變化。偏置電流和基極驅(qū)動電流通常在遇到交流信號時會增加。最大的挑戰(zhàn)是計算出器件輸出電流所產(chǎn)生的熱量。這種估算可能并不簡單。一只器件為一個負載提供的功率是可變化的，但是，如果輸出晶體管是常開或常閉狀態(tài)，則器件內(nèi)部消耗的功率就相對較小。如大多數(shù)放大器所使用的傳統(tǒng)圖騰柱輸出級，輸出一個滿擺幅方波時發(fā)熱并不是最大。IC內(nèi)最糟的發(fā)熱情況是器件輸出一個方波，其振幅是電源范圍的一半。如果器件工作在±12V電壓，則±6Vp-p的方波就會在輸出級產(chǎn)生最大的熱量。
正弦波輸出的內(nèi)部發(fā)熱較低。如果信號很復雜或者比較亂，則很難估計IC內(nèi)真實的最差情況下發(fā)熱狀況。如有含有大電容和大電感元件的電抗性負載，則功耗估計工作會更加復雜。因為電壓和電流不是同相位，因此有關半振幅方波的簡單假設也不可行。
如果你能確定IC通過信號的特性，就可以用Spice來估算功耗。此時必須保證使用恰當?shù)腟pice模型，它們對一些測試信號給出合理的結果，而功耗計算此時沒有價值。圖5表示一個Spice圖。芯片的功耗不同于到達負載的功率。圖6是圖5示意圖的Spice曲線圖。它以紅線表示啟動的振蕩。電路是否會發(fā)生這種振蕩只是個人的猜測，但它應該會使你在建立原型后查看這種行為。記住，在OrcadCapture上點擊W鍵只能顯示芯片的靜態(tài)功耗。要獲得工作時的功耗，要用示意圖上的功率標記，然后用曲線程序的rms-math函數(shù)，給出器件的平均功耗。
電路板或散熱器會通過對流、傳導或輻射方式，將IC的熱量散發(fā)出去。傳導散熱主要是通過金屬引線框和電路板上銅箔。一旦電路板銅箔或分立散熱片傳導出熱量，就為對流散熱提供了足夠?qū)崃可⒉サ娇諝庵械谋砻娣e。輻射很難是一種散熱的可行方法。衛(wèi)星設計者采用輻射方式，因為沒有其它方法可以去除系統(tǒng)中的熱量。由于空間的輻射溫度接近于絕對零度，因此存在足夠大的溫差，使大量的熱能可以傳輸?shù)娇臻g中，使衛(wèi)星上的電子設備不會過熱燒毀。
對流散熱也有一些困難。例如，氣流對商用散熱片的影響（圖7）。注意，在高溫下，熱阻會增加五倍。使用強制風冷的散熱片有較薄、間距更近的鰭片，比如一款風扇式CPU冷卻器。如果你的產(chǎn)品沒有風扇，則IC產(chǎn)生的熱量會傳導和散播出來，然后傳送到機內(nèi)的空氣中。接下來，隨著整個機器溫度的上升，熱量通過對流傳送給周圍的空氣，如果你把機器放在腿上，則部分熱量也會傳導過來。外殼材料的熱阻就變得很重要。熱量從內(nèi)向外的傳送速度，塑料殼要慢于金屬殼。
做噴氣戰(zhàn)斗機非機艙電子設備的工程師知道，一架噴氣飛機要飛到高達7萬英尺的高空。在這個高度，空氣非常稀薄，對流冷卻是無效的。這些系統(tǒng)有一個帶乙二醇冷卻通道的冷板，確保冷板溫度不高于80℃。每個部件都與一個金屬散熱器保持物理接觸，散熱器將元件熱量傳送至電路板的邊沿。在電路板的邊沿，一個傳熱的夾鉗系統(tǒng)將這個散熱器壓緊在機殼的一側(cè)。機殼的側(cè)面將熱量傳給機殼所在的冷板。導熱油脂可保證將最多的熱量傳送給冷板，并確保從IC到散熱片的最大傳導。
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