產(chǎn)品特性：

• 頂端部直徑約8mm
• 100μm以下的測量分辨率
• 60MHz～2.5GHz可檢測頻率范圍
• 較高的靈敏度

應(yīng)用范圍：

• 適用于電子設(shè)備的EMC測量
• 天線附近的電場測量
• 開發(fā)高頻電路時(shí)的驗(yàn)證作業(yè)
• 高速/高密度電路的放射電場測量以及超高速半導(dǎo)體的運(yùn)行狀態(tài)分析

                                                                                                                                                    
日本Stack電子開發(fā)出了可準(zhǔn)確測量微小電場分布狀態(tài)的光外差法光電效應(yīng)電場探測器“LEO-Probe”。該產(chǎn)品采用日本信息通信研究機(jī)構(gòu)（NICT）轉(zhuǎn)讓的技術(shù)開發(fā)，適用于電子設(shè)備的EMC測量、天線附近的電場測量、開發(fā)高頻電路時(shí)的驗(yàn)證作業(yè)、高速/高密度電路的放射電場測量以及超高速半導(dǎo)體的運(yùn)行狀態(tài)分析等。

目前，無線通信的使用頻率日益增高，而且隨著以個(gè)人電腦為代表的電路運(yùn)行速度的提高，越來越多的用戶希望能夠測量電磁場的強(qiáng)弱并了解其影響。人們通常采用以較小的金屬導(dǎo)體環(huán)形天線（Loop Antenna）等測量的方法，但這種方法存在想要測量的電磁場狀態(tài)會因金屬導(dǎo)體接近而發(fā)生改變的缺陷。

此次開發(fā)的探測器則不存在這種缺陷，其特點(diǎn)是，可在幾乎不影響測量電場的情況下，測量出微小電場的狀態(tài)。此次利用了對特殊結(jié)晶材料施加電場時(shí)結(jié)晶材料的光折射率會發(fā)生改變的光電（EO）效應(yīng)，由于測量部分沒有使用金屬導(dǎo)體，因此可在幾乎不破壞電場的情況下進(jìn)行測量。另外，還采用了可在結(jié)晶材料內(nèi)部通過光學(xué)頻率轉(zhuǎn)換使其產(chǎn)生中間頻率的光外差技術(shù)，從而能以較低的頻率完成信號處理。能以較高的靈敏度穩(wěn)定地檢測出高頻信號。

為了便于攜帶，探測器實(shí)現(xiàn)了頂端部直徑約8mm、不含光纖部的長度約65mm的外形尺寸。通過聚集導(dǎo)入結(jié)晶材料的光，實(shí)現(xiàn)了100μm以下的測量分辨率。

此次開發(fā)試制的機(jī)型具備60MHz～2.5GHz的可檢測頻率范圍。預(yù)計(jì)今后會將最高頻率擴(kuò)大至數(shù)THz。該公司計(jì)劃在2009年度底之前改進(jìn)該產(chǎn)品，使其能夠檢測出40GHz左右的高頻信號。

另外，Stack電子還計(jì)劃在11月25日～27日于日本太平洋橫濱會展中心舉行的“微波展2009”上展出此次的試制機(jī)。