產(chǎn)品特性：

• 器件最大尺寸僅為1mm x 1mm
• 導(dǎo)通電阻比非芯片級(jí)器件提高10倍

應(yīng)用范圍：

• 負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET--- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級(jí)功率MOSFET。

在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實(shí)現(xiàn)更多的功能。與市場(chǎng)上尺寸與之最接近的芯片級(jí)功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。

在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下，Si8461DB的導(dǎo)通電阻為0.1Ω，比非芯片級(jí)器件提高了10倍，而且具有相近的占位尺寸，為節(jié)約便攜設(shè)備中的電池能量提供了極大幫助。除4.5V的電壓等級(jí)，Si8461DB還確定了在2.5V、1.8V和1.5V電壓時(shí)的最大導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通電阻與采用便攜式系統(tǒng)中常見的更小輸入信號(hào)的設(shè)備相匹配。對(duì)于充電開關(guān)等需要更高輸入電壓的應(yīng)用，Si8465DB具有12V的柵源電壓，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)的導(dǎo)通電阻分別為0.104Ω和0.148Ω。