產品特性：

• 工作電壓可以覆蓋400V—900V區(qū)間
• 可兼容多晶穩(wěn)壓管結構
• 高可靠性，高效率，高EAS能力
• 導通電阻低，動態(tài)參數(shù)優(yōu)
• 具有相對較小的芯片面積

應用范圍：

• AC-DC功率電源，DC-DC轉換器
• PWM馬達驅動

杭州士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產品——S-RinTM系列高壓VDMOS。這是士蘭微電子歷經(jīng)多年的自主研發(fā)所推出的第三代高壓MOSFET產品。相比較于前兩代的產品，S-RinTM系列高壓VDMOS產品性能更加優(yōu)越，工作電壓可以覆蓋400V—900V區(qū)間，可以兼容多晶穩(wěn)壓管結構以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，導通電阻低，動態(tài)參數(shù)優(yōu)等特點，已被廣泛應用于AC-DC功率電源，DC-DC轉換器以及PWM馬達驅動等領域。

S-RinTM產品采用了條形元胞結構，并優(yōu)化了元胞的工藝及設計尺寸。相對于采用其他結構元胞的器件，在EAS能力方面具有較大的優(yōu)勢；此外，由于采用了尺寸較小的GR環(huán)作為其保護環(huán)，這樣在相同規(guī)格的條件下，S-RinTM產品就具有相對較小的芯片面積，這一優(yōu)勢能有效降低成本，增加芯片的利用效率。

該系列產品優(yōu)化了柵氧化層的厚度和工藝質量，提高了柵源擊穿電壓，從而提高了可靠性指標，并改善了器件的易損性；其突出表現(xiàn)在于對IDSS漏電的控制。與其他公司同類型的產品相比，S-RinTM產品在經(jīng)過HTRB可靠性試驗后，IDSS仍然可以維持在幾納安到十幾納安非常小的水平，且相對試驗前，基本不會增大，這就在很大程度上保證了器件在長時間工作之后，不會因為漏電增大失效而影響其正常使用。

此外，S-RinTM產品通過在工藝上對N-JFET的調整，減小JFET效應，使得器件的導通電阻減小，從而降低了器件工作時的溫升，提高了AC-DC系統(tǒng)的轉換效率。對多晶柵進行了重摻雜處理，以提高器件的響應速度，從而使該系列產品在動態(tài)參數(shù)方面表現(xiàn)出了一定的優(yōu)勢。