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TIG058E8:三洋半導體開發(fā)出面積縮小60%的手機閃光燈用IGBT

發(fā)布時間:2009-02-02

產(chǎn)品特點:

  • TIG058E8面積比原產(chǎn)品縮小60%
  • 可利用同等于原產(chǎn)品的400V電壓對150A電流進行開關控制

應用范圍:

  • 手機氙氣閃光燈

三洋半導體近日宣布,開發(fā)出了面積比原產(chǎn)品縮小約60%的氙氣閃光燈(Xenon Flash)用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機的拍照功能??赏ㄟ^IGBT的開關操作瞬間釋放電容器內(nèi)存儲的電力,使氙氣管發(fā)光。外形尺寸為2.8mm×2.9mm×0.9mm,重量為0.02g。該產(chǎn)品可利用同等于原產(chǎn)品的400V電壓對150A電流進行開關控制。樣品價格為250日元。計劃09年5月左右確立月產(chǎn)300萬個的生產(chǎn)體制。

此前,手機的閃光功能一般采用LED,配備氙氣閃光燈的機型比較少。原因是氙氣閃光燈模塊比LED模塊尺寸大,不易安裝。不過,三洋半導體認為,隨著今后模塊不斷趨于小型化,配備亮度達到LED約4倍的氙氣閃光燈的手機會越來越多。理由是“它能以比較低廉的價格強化用戶需求較高的拍照功能”(三洋半導體電力管理事業(yè)本部董事兼事業(yè)本部部長近藤安生)。模塊價格設想為“400~500日元”(近藤)。另外,該公司表示,氙氣閃光模塊中,每個組成部件的面積比例為,氙氣管和蓄電用電容器約為90%,占其面積的一大半,而IGBT約占2%。

此次開發(fā)的產(chǎn)品主要通過以下兩方面實現(xiàn)了小型化。一方面是封裝IGBT的芯片時,采用了將銅架直接與芯片相連的無引線接合(Wireless Bonding)技術。由此,使高度比原產(chǎn)品降低約10%。另一個是改進了晶圓的加工技術。包括減小工作單元通道和節(jié)點的偏差,以及將工作單元周圍配置的保護環(huán)(Guard Ring)結構的長度減至一半左右。

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