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【工程師實戰(zhàn)】一個晶振引發(fā)的EMI超標原因及對策

發(fā)布時間:2019-09-06 責任編輯:xueqi

【導讀】某行車記錄儀,測試的時候要加一個外接適配器,在機器上電運行測試時發(fā)現(xiàn)超標,具體頻點是84MHZ、144MH、168MHZ,需要分析其輻射超標產(chǎn)生的原因,并給出相應的對策。
 
一、問題描述:
 
某行車記錄儀,測試的時候要加一個外接適配器,在機器上電運行測試時發(fā)現(xiàn)超標,具體頻點是84MHZ、144MH、168MHZ,需要分析其輻射超標產(chǎn)生的原因,并給出相應的對策。輻射測試數(shù)據(jù)如下:
 
 
二、輻射源頭分析:
 
該產(chǎn)品只有一塊PCB,其上有一個12MHZ的晶體。其中超標頻點恰好都是12MHZ的倍頻,而分析該機器容易EMI輻射超標的屏和攝像頭,發(fā)現(xiàn)LCD-CLK是33MHZ,而攝像頭MCLK是24MHZ;通過排除發(fā)現(xiàn)去掉攝像頭后,超標點依然存在,而通過屏蔽12MZH晶體,超標點有降低,由此判斷144MHZ超標點與晶體有關(guān),PCB布局如下:
 
 
三、輻射產(chǎn)生的原理:
 
從PCB布局可以看出,12MHZ的晶體正好布置在了PCB邊緣,當產(chǎn)品放置與輻射發(fā)射的測試環(huán)境中時,被測產(chǎn)品的高速器件與實驗室中參考接地會形成一定的容性耦合,產(chǎn)生寄生電容,導致出現(xiàn)共模輻射,寄生電容越大,共模輻射越強;而寄生電容實質(zhì)就是晶體與參考地之間的電場分布,當兩者之間電壓恒定時,兩者之間電場分布越多,兩者之間電場強度就越大,寄生電容也會越大,晶體在PCB邊緣與在PCB中間時電場分布如下:
 
PCB邊緣的晶振與參考接地板之間的電場分布示意圖
 
PCB中間的晶振與參考接地板之間的電場分布示意圖
從圖中可以看出,當晶振布置在PCB中間,或離PUB邊緣較遠時,由于PCB中工作地(GND)平面的存在,使大部分的電場控制在晶振與工作地之間,即在PCB內(nèi)部,分布到參考接地板去的電場大大減小,導致輻射發(fā)射就降低了。
 
 
四、處理措施
 
將晶振內(nèi)移,使其離PCB邊緣至少1cm以上的距離,并在PCB表層離晶振1cm的范圍內(nèi)敷銅,同時把表層的銅通過過孔與PCB地平面相連。經(jīng)過修改后的測試結(jié)果頻譜圖如下,從圖可以看出,輻射發(fā)射有了明顯改善。
 
 
五、思考與啟示
 
高速的印制線或器件與參考接地板之間的容性耦合,會產(chǎn)生EMI問題,敏感印制線或器件布置在PCB邊緣會產(chǎn)生抗擾度問題。
 
如果設計中由于其他一些原因一定要布置在PCB邊緣,那么可以在印制線邊上再布一根工作地線,并多增加過孔將此工作地線與工作地平面相連。
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