ESD（靜電放電？浪涌）保護(hù)裝置？對(duì)策元件的種類

 

　　ESD保護(hù)裝置為實(shí)現(xiàn)必要機(jī)能，有工作原理和素材不同的產(chǎn)品。大致有陶瓷基體和以硅、聚合物為原料的半導(dǎo)體基體。陶瓷基體又有電壓可變阻抗方式的壓敏電阻型和電極間放電方式的抑制型2種，半導(dǎo)體基體有齊納（恒定電壓）二極管。村田提供陶瓷基體和半導(dǎo)體基體兩種ESD保護(hù)裝置。

 

　　ESD保護(hù)裝置·對(duì)策元件基礎(chǔ)知識(shí)——ESD（靜電放電?浪涌）保護(hù)裝置?對(duì)策元件的種類

 

ESD保護(hù)裝置的主要功能是將侵入到設(shè)備內(nèi)部的ESD傳輸?shù)降叵隆]有ESD保護(hù)裝置時(shí)，從外部人機(jī)界面侵入的數(shù)千V的ESD將直接被施加在內(nèi)部的IC上。

在外部人機(jī)界面和IC之間安裝ESD保護(hù)裝置時(shí)，通過ESD保護(hù)裝置便能將ESD導(dǎo)入地下。通常IC驅(qū)動(dòng)的電壓（V）與地面絕緣，不會(huì)妨礙數(shù)據(jù)通信。在施加數(shù)千V時(shí)傳導(dǎo)，在數(shù)十V時(shí)絕緣是ESD保護(hù)裝置必要的功能。

有無ESD保護(hù)裝置時(shí)IC側(cè)電壓的差異如下表所示。在此使用內(nèi)置電容器（超級(jí)電容）和內(nèi)部阻抗的ESD噴槍，施加8kV的ESD，通過示波器測(cè)量設(shè)備通過后的電壓值。從圖表的波形來看，因?yàn)榫哂蠩SD保護(hù)裝置，施加到IC側(cè)的電壓被大幅抑制。

　此外，放電波形被用于ESD保護(hù)裝置的性能評(píng)估。圖表上ESD施加后的峰值電壓值稱為「V peak電壓值」，施加30 ns后的電壓值稱為「V clamp電壓值」，V peak， V clamp電壓值越小，也就說明產(chǎn)品的ESD 保護(hù)性能越好。這些值越小、波形面積越小的產(chǎn)品，對(duì)IC側(cè)施加的損耗就變小。以下圖表中的LXES03TAA1-142的V peak， V clamp電壓值和波形面積都很小，所以具有優(yōu)越的ESD保護(hù)性能。