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揭秘?zé)嵩O(shè)計(jì)集成電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵密碼
本文將帶您深入探討設(shè)計(jì)工程師在熱設(shè)計(jì)過(guò)程中需要關(guān)注的一些關(guān)鍵問(wèn)題。具體來(lái)說(shuō)，我們將聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問(wèn)題。
2024-06-13
熱設(shè)計(jì) 集成電路設(shè)計(jì)
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貿(mào)澤新一期EIT系列帶你了解軟件定義車(chē)輛的Zonal架構(gòu)
隨著汽車(chē)技術(shù)采用的電子元器件數(shù)量不斷增加，設(shè)計(jì)人員開(kāi)始采用Zonal架構(gòu)來(lái)充分提升各個(gè)子系統(tǒng)的效率，同時(shí)能夠更輕松地管理整車(chē)的硬件和軟件棧。專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出新一期Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)...
2024-06-13
貿(mào)澤 EIT系列 車(chē)輛 Zonal架構(gòu)
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凱澤斯勞滕理工大學(xué)通過(guò)全新DDS固件選項(xiàng)加速量子計(jì)算機(jī)開(kāi)發(fā)進(jìn)程
中國(guó)北京，2024年6月12日訊 —— 創(chuàng)建量子計(jì)算機(jī)（QC）的方法有很多，凱澤斯勞滕理工大學(xué)在Rymax One合作中采用的方法就是創(chuàng)建一個(gè)由單個(gè)原子組成的陣列，并將這些原子作為量子位使用。然而，其挑戰(zhàn)在于每個(gè)原子的定位必須十分精準(zhǔn)。因此，凱澤斯勞滕理工大學(xué)使用了激光，并將每個(gè)原子都有效地鎖定在...
2024-06-12
全新DDS固件
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MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿(mǎn)足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開(kāi)關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開(kāi)關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說(shuō)明書(shū)中提供。
2024-06-08
MOSFET 器件 高壓CV IGBT BJT
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紅頭文件！關(guān)于邀請(qǐng)參加第十二屆中國(guó)（西部）電子信息博覽會(huì)的通知
第十二屆中國(guó)（西部）電子信息博覽會(huì)將于2024年7月17日至19日在成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心7、8、9號(hào)館盛大舉辦。本屆博覽會(huì)以展示西部地區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果和新場(chǎng)景為核心，形成了一條從成果展示到應(yīng)用技術(shù)，再到基礎(chǔ)元器件與集成電路的完整展覽主線。
2024-06-07
電子信息博覽會(huì) 基礎(chǔ)元器件 集成電路 以太網(wǎng)供電
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跨電感電壓調(diào)節(jié)器的多相設(shè)計(jì)、決策和權(quán)衡
最近推出的跨電感電壓調(diào)節(jié)器(TLVR)在多相DC-DC應(yīng)用中頗受歡迎，這些應(yīng)用為CPU、GPU和ASIC等低壓大電流負(fù)載供電。這一趨勢(shì)主要基于該技術(shù)出色的瞬態(tài)性能。TLVR還支持靈活的設(shè)計(jì)和布局，但有幾個(gè)缺點(diǎn)。本文闡述了TLVR設(shè)計(jì)選擇如何影響性能參數(shù)，并討論了相關(guān)權(quán)衡。
2024-06-06
跨電感 電壓調(diào)節(jié)器
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電子保險(xiǎn)絲如何助力軟件定義車(chē)輛的區(qū)域架構(gòu)革新
在過(guò)去十年中，汽車(chē)行業(yè)經(jīng)歷的最大變革在于軟件定義車(chē)輛的興起。傳統(tǒng)的車(chē)輛設(shè)計(jì)中，針對(duì)如動(dòng)力總成系統(tǒng)或信息娛樂(lè)系統(tǒng)等特定功能，均配備有專(zhuān)用的硬件子系統(tǒng)。為了滿(mǎn)足車(chē)型快速升級(jí)的需求，通過(guò)構(gòu)建模塊化、靈活的子系統(tǒng)（也稱(chēng)為“區(qū)域”）來(lái)統(tǒng)一整合多種功能，變得更為經(jīng)濟(jì)高效?，F(xiàn)代汽車(chē)設(shè)計(jì)不再局...
2024-06-05
電子保險(xiǎn)絲 車(chē)輛 區(qū)域架構(gòu)
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超結(jié)MOS在全橋電路上的應(yīng)用
全橋電路廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，如開(kāi)關(guān)電源、變頻器、逆變器、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域 。在電路中，全橋電路可以使直流電轉(zhuǎn)換成交流電；在電機(jī)控制中，全橋電路可用于變頻調(diào)速和正弦波控制。
2024-06-03
超結(jié)MOS 全橋電路
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ADI氮化鎵功率元件和工具為設(shè)計(jì)帶來(lái)了機(jī)會(huì)
氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體在 20 世紀(jì) 90 年代初首次作為高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應(yīng)用，隨后成為藍(lán)光光盤(pán)播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長(zhǎng)足進(jìn)步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其高能效特性而在場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 上實(shí)現(xiàn)商業(yè)可行性。
2024-05-26
ADI 氮化鎵 功率元件
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
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- 單結(jié)晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu)
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