【導(dǎo)讀】TEC使用珀?duì)柼K來(lái)冷卻物體或提供物體的準(zhǔn)確溫度控制,可用于多種應(yīng)用。它們是激光二極管冷卻器、微處理器冷卻、聚合酶鏈反應(yīng)(PCR)系統(tǒng)以及斷層掃描、心血管成像、磁共振成像(MRI)、放射治療等醫(yī)療應(yīng)用的理想之選。激光二極管溫度控制等許多應(yīng)用都使用功率在5 W至15 W范圍內(nèi)的小型低功耗TEC。它們的驅(qū)動(dòng)器可能采用5 V供電軌運(yùn)行并提供1 A至3 A的 電流。
本文提供了設(shè)計(jì)更高功率TEC之前必須了解的熱電冷卻器(TEC)概念,解釋了限制熱電冷卻器冷卻能力的關(guān)鍵珀?duì)柼匦?,并且說(shuō)明了可以如何圍繞這些限制展開設(shè)計(jì)。部分驅(qū)動(dòng)器示例說(shuō)明了控制更高功率TEC所需的條件。另外還包括可能阻礙現(xiàn)有設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)其預(yù)期冷卻能力的問(wèn)題。
TEC使用珀?duì)柼K來(lái)冷卻物體或提供物體的準(zhǔn)確溫度控制,可用于多種應(yīng)用。它們是激光二極管冷卻器、微處理器冷卻、聚合酶鏈反應(yīng)(PCR)系統(tǒng)以及斷層掃描、心血管成像、磁共振成像(MRI)、放射治療等醫(yī)療應(yīng)用的理想之選。激光二極管溫度控制等許多應(yīng)用都使用功率在5 W至15 W范圍內(nèi)的小型低功耗TEC。它們的驅(qū)動(dòng)器可能采用5 V供電軌運(yùn)行并提供1 A至3 A的 電流。
但如果我們需要更高功率怎么辦?我們?cè)撊绾巫瞿??我們?yīng)該關(guān)注什么以及我們有什么選擇?我們從兩個(gè)角度來(lái)看。第一種情況是,我們已經(jīng)有一個(gè)正常工作的TEC,但這還不夠,需要將功率提升10%到20%。第二種情況是,從頭開始構(gòu)建更高功率的TEC。我們可以從珀?duì)柼b置獲得多少冷卻能力?我們應(yīng)該用什么來(lái)驅(qū)動(dòng)它?
在開始之前,讓我們先了解幾個(gè)關(guān)鍵的珀?duì)柼拍睢?/p>
最大吸熱量
珀?duì)柼K的最大吸熱量(Qc)將在數(shù)據(jù)手冊(cè)中列出,但它適用于ΔT為零的情況。ΔT是珀?duì)柼麩岫撕屠涠酥g的溫差。當(dāng)熱端和冷端溫度相同時(shí),Qc將如數(shù)據(jù)手冊(cè)中所述。然而,它會(huì)隨 著ΔT的增加呈線性減小,直到某個(gè)點(diǎn)Qc = 0。該點(diǎn)也稱為最大ΔT,變化很大,但單級(jí)模塊的典型值可能約為70°C。請(qǐng)參見圖1中的一般示例。
圖1. 熱吸收量與珀?duì)柼麥夭畹年P(guān)系。
假設(shè)我們希望將珀?duì)柼臒岫吮3衷?22°C的室溫,而希望將冷端保持在–5°C。珀?duì)柼淖畲箅娏鳛? A,因此我們計(jì)劃使用7 A驅(qū)動(dòng)器。在我們的示例圖中,7 A電流下27°C的溫差將為我們提供41 W的能力。然而,所有接口都具有熱阻,因此當(dāng)熱量從珀?duì)柼鹘?jīng)散熱器并進(jìn)入室內(nèi)環(huán)境時(shí),將會(huì)出現(xiàn)溫度梯度。如此一來(lái),珀?duì)柼臒岫司筒豢赡芴幱?2°C的室溫。假設(shè)熱端溫度為30°C。我們就得到35°C的冷熱溫差。參照?qǐng)D1,沿著7 A線 到達(dá)35°C ΔT點(diǎn),這表明我們的排熱能力將為30 W左右——即使我們購(gòu)買了100 W珀?duì)柼?/p>
自發(fā)熱
另一個(gè)重要的珀?duì)柼拍钍悄K在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的自熱。自發(fā)熱量可能會(huì)是從目標(biāo)處吸收到的熱量的兩倍。例如,當(dāng)從目標(biāo)處吸收到25 W的熱量時(shí),珀?duì)柼赡軙?huì)另外產(chǎn)生 50 W的熱量。因此,熱端散熱器必須能夠散發(fā)75 W的熱量。
改進(jìn)現(xiàn)有TEC系統(tǒng)
在第一種情況下,我們有現(xiàn)成的TEC,只需要略微增加冷卻能力即可,為此我們可能要考慮一些問(wèn)題。幾項(xiàng)明顯的問(wèn)題領(lǐng)域包括TEC的熱端溫度、TEC組件接口的熱阻、珀?duì)柼b置上的電壓紋波、ΔT以及組件的絕緣。
建議首先檢查熱端的溫度,請(qǐng)參見圖2。請(qǐng)謹(jǐn)記,圖1的一項(xiàng)關(guān)鍵要點(diǎn)是珀?duì)柼涠撕蜔岫酥g的小增量至關(guān)重要。隨著溫差的增加,珀?duì)柼麖哪繕?biāo)汲取熱量的能力會(huì)減弱。
圖2. 空對(duì)空TEC組件的簡(jiǎn)化圖。
快速了解熱端溫度的一種方法是在TEC接近最大功率時(shí)檢查散熱器溫度。只需使用熱電偶,或者將測(cè)量結(jié)果發(fā)送至微處理器,熱敏電阻就會(huì)有效工作。請(qǐng)參見《基于熱敏電阻的溫度檢測(cè)系統(tǒng)—第1部分:設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和電路配置》和《基于熱敏電阻的溫度檢測(cè)系統(tǒng)—第2部分:系統(tǒng)優(yōu)化與評(píng)估》這兩篇出色的熱敏電阻文章。如果熱端散熱器的溫度明顯高于室溫,則可能需要更大的散熱器和/或風(fēng)扇。
遺憾的是,上述的快速檢查并沒有告訴我們有關(guān)珀?duì)柼缴崞鹘涌诘娜魏涡畔ⅰT摻涌诳赡茌^難觸及,因此通常需要拆卸該裝置。該接口經(jīng)常使用導(dǎo)熱膏,我們想要檢查它以確定是否存在可能干擾熱傳導(dǎo)的氣穴。由于空氣是不良導(dǎo)熱體(0.026 W/(mK)),因此導(dǎo)熱膏的作用是消除氣穴。但不要使用很厚一層,因?yàn)樵?.2 W/(mK)至0.3 W/(mK)時(shí),導(dǎo)熱膏也不是良好的導(dǎo)體,盡管金屬類型可能在4 W/(mK)范圍內(nèi)。然而,這種膏體的性能仍然比空氣好10倍。與之相比,鋁為200 W/(mK),PCB銅為約380 W/(mK),PCB FR4為 約0.3 W/(mK)至0.8 W/(mK),水為0.6 W/(mK),玻璃為約1.0 W/(mK)。
請(qǐng)注意,有可能在達(dá)到某個(gè)點(diǎn)時(shí),增加通過(guò)珀?duì)柼碾娏鲿?huì)產(chǎn)生與預(yù)期相反的效果,也就是會(huì)讓冷端變暖!這是因?yàn)殓隊(duì)柼赡芙咏渥畲螃,并且由于散熱不充分,所以增加電流會(huì)使 熱端變暖。當(dāng)熱端變暖時(shí),會(huì)將冷端向上推。
另外,請(qǐng)檢查TEC上的電壓紋波可以如何降低珀?duì)柼男?。紋波應(yīng)不超過(guò)10%,但建議5%或更低。降低負(fù)載電容的有效串聯(lián)電阻(ESR)可能是最安全的變化。然而,無(wú)論發(fā)生什么變化,無(wú)論是增加頻率、增加輸出電容還是增大電感,都需要注意防止影響交換機(jī)的效率及其控制穩(wěn)定性。
新設(shè)計(jì)
對(duì)于新的高功率設(shè)計(jì),人們可能想到的第一件事是,是否使用珀?duì)柼K或珀?duì)柼M件。這類模塊本身就是珀?duì)柼磰A在陶瓷襯底和熱端(+端)之間的碲化鉍,并焊接有兩根電線。在這種情況下,是由客戶來(lái)設(shè)計(jì)散熱器和散熱接口的。另一方面,組件包含已連接散熱器的珀?duì)柼K。典型的裝置可能包含兩個(gè)散熱器和兩個(gè)風(fēng)扇以及引出至連接端口的接線。散熱器分為不同的種類,例如風(fēng)冷、水冷或乙二醇冷卻以及直連冷卻,而且還可能包含用于連接到機(jī)柜或其他設(shè)備的某種類型的框架??蛻糁恍铻轱L(fēng)扇連接一個(gè)電源,然后就可以專注于驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。
無(wú)論是哪種方式,無(wú)論是從模塊開始還是從組件開始,如果要構(gòu)建高功率TEC,就需要進(jìn)行權(quán)衡和抉擇。例如,對(duì)于大致相同的功率,各種珀?duì)柼K(TEC模塊)的電流和電壓可能差異巨大。在應(yīng)用中使用多個(gè)模塊可能會(huì)更有利,或者可以選擇多級(jí)模塊來(lái)增加ΔT。為了驅(qū)動(dòng)更高功率的模塊,ADI提供了 LT8722 和新的 LT8204 全橋功率芯片。接下來(lái),我們來(lái)仔細(xì)看看這些問(wèn)題。
選擇珀?duì)柼K時(shí)首先要意識(shí)到的是,它們的電流/電壓權(quán)衡可能差異巨大。例如,就95 W至105 W范圍內(nèi)的可用模塊而言,電阻的變化范圍可以從0.34 Ω到4.4 Ω。此外,27°C下95 W模塊的最大規(guī)格為19 A和7.7 V,而27°C下另一個(gè)105 W模塊的最大規(guī)格則為7.6 A 和21.2 V。盡管它們的功率并不完全相同,但關(guān)鍵是電流和電壓之間可能存在權(quán)衡,而這反過(guò)來(lái)又決定了您對(duì)驅(qū)動(dòng)器的要求。
除此之外,您也可以使用多個(gè)模塊,但是,它們必須進(jìn)行電氣串聯(lián),因?yàn)樗鼈兊碾娮桦S溫度變化。如此一來(lái),并聯(lián)裝置之間的均流將會(huì)是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。當(dāng)然,使用串聯(lián)裝置,壓降會(huì)增加, 并且會(huì)需要更高電壓的驅(qū)動(dòng)器。然而,電氣串聯(lián)的珀?duì)柼b置將仍具有散熱的并行功能。如果無(wú)法獲得更高的電壓,但仍需要兩個(gè)模塊,則每個(gè)模塊都必須由自己的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。但是, 單個(gè)溫度反饋可同時(shí)用于兩個(gè)模塊。
另一種選擇是使用多級(jí)模塊。這些模塊包含由制造商堆疊在一起的一到五個(gè)模塊。換言之,散熱將為串聯(lián),因此總ΔT增加,可以冷卻到較低的溫度。然而,這并不是一個(gè)全能的方法。請(qǐng) 謹(jǐn)記,每個(gè)模塊的熱端都必須將從目標(biāo)吸收的熱量以及自發(fā)熱量散發(fā)出去。因此,下一個(gè)連接模塊的冷端必須要轉(zhuǎn)移來(lái)自第一個(gè)裝置的自發(fā)熱量和目標(biāo)熱量,并且該串聯(lián)中的第三個(gè)模塊 必須要能夠?qū)?lái)自目標(biāo)的熱量以及來(lái)自所有三個(gè)裝置的自發(fā)熱量散發(fā)出去。這種額外的溫度能力是以顯著增加散熱為代價(jià)的。多級(jí)模塊通??雌饋?lái)像一座金字塔,因?yàn)榫嚯x目標(biāo)最遠(yuǎn)的模塊需要散發(fā)大量熱量,必須更大。
15 V/4 A驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)更高功率
顯然,要提高TEC的功率,通常需要更高的驅(qū)動(dòng)電壓。LT8722正是如此,其VIN電壓為15 V,其集成FET的額定電流為4 A。該控制器的設(shè)計(jì)考慮了高精度的溫度控制。它使用集成式25位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)從串行外設(shè)接口(SPI)接收信息,以便在TEC上設(shè)置準(zhǔn)確的差分電壓。兩個(gè)額外的集成式9位DAC可設(shè)置正負(fù)輸出限流值。
該架構(gòu)是全橋DC-DC變換器,一側(cè)是脈寬調(diào)制(PWM)降壓功率級(jí),另一側(cè)是線性級(jí),在4 A、15 VIN和3 MHz條件下提供92.6%的效率。即使其中一個(gè)輸出為線性輸出,也能保持效率,因?yàn)樵诟唠娏鲿r(shí),交換機(jī)控制電流,線性驅(qū)動(dòng)器要么高要么低,導(dǎo)致壓降很小。在電流反向的轉(zhuǎn)換期間,線性輸出將處于其線性區(qū)域,但電流很小。因此,線性驅(qū)動(dòng)器不會(huì)顯著影響效率。利用這種架構(gòu),不僅可以實(shí)現(xiàn)高效率,而且由于只需要一個(gè)電感,因此尺寸更小。該交換機(jī)還使用Silent Switcher?技術(shù)來(lái)盡可能地減少電磁干擾/電磁兼容性(EMI/EMC)輻射。
SPI接口全面管理控制,包括使能、啟動(dòng)、峰值電流、頻率、差分輸出電壓和限流值。SPIS_STATUS寄存器提供6個(gè)故障和5個(gè)附加狀態(tài)條件,而AMUX監(jiān)控13個(gè)模擬功能。LT8722是一款低噪聲(僅1側(cè)是交換機(jī))、小尺寸(僅1個(gè)電感)H橋,其輔助功能已集成到芯片中。參見圖3。
圖3. LT8722應(yīng)用電路。
具有外部FET的40 V驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)更高功率
為了獲得額外的冷卻能力,可使用ADI具有外部功率FET的40 V LT8204 H橋控制器。這能夠幫助設(shè)計(jì)人員為任何應(yīng)用設(shè)計(jì)電流水平。LT8204是一款多功能驅(qū)動(dòng)器。它是一款出色的珀?duì)柼?qū)動(dòng)器,但也可用于各類電感、電容或電阻負(fù)載,例如電機(jī)、電磁閥、電池充電、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備電源和加熱系統(tǒng),即任何需要半橋或全橋驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用。其控制模式可以是電壓模式或電流模式控制,并且可以控制輸出電壓或輸出電流。控制輸出電流對(duì)于驅(qū)動(dòng)TEC模塊尤為實(shí)用。
該控制器具有SPI接口,完全由微處理器控制。兩個(gè)集成式16位DAC為雙半橋或全橋配置提供來(lái)自微處理器的準(zhǔn)確接口。此外,集成式低輸入失調(diào)電流放大器可提供準(zhǔn)確的雙向電流檢測(cè)。故障寄存器提供16個(gè)故障指示,可將其回傳至處理器。實(shí)際上,將簡(jiǎn)單的H橋控制器轉(zhuǎn)變?yōu)闇?zhǔn)確的TEC驅(qū)動(dòng)器所需的大部分工作已經(jīng)集成到控制器中。參見圖4。
圖4. LT8204應(yīng)用電路。
結(jié)論
無(wú)論是需要提高現(xiàn)有TEC的冷卻能力,還是計(jì)劃打造新的更高功率設(shè)計(jì),其中所涉及的程序都沒那么復(fù)雜。原本的設(shè)計(jì)可能存在的散熱或效率問(wèn)題都是可以解決的。新設(shè)計(jì)將需要更高功 率的珀?duì)柼K、多個(gè)串聯(lián)模塊,或者如果要求更高的ΔT,則需要多級(jí)模塊。毫無(wú)疑問(wèn),驅(qū)動(dòng)器將需要更高的電壓和電流能力,并且最好是具有內(nèi)置的準(zhǔn)確控溫功能。
來(lái)源:ADI智庫(kù)
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