你的位置:首頁 > 電路保護 > 正文

詳細介紹功率MOSFET選擇指南

發(fā)布時間:2018-10-17 責任編輯:xueqi

【導讀】為了限制本討論的范圍,請考慮采用同步降壓轉(zhuǎn)換器拓撲的MOSFET選擇方法,該方法適用于PC主板和電信應用的DC / DC轉(zhuǎn)換器。為特定應用尋找合適的MOSFET涉及最小化損耗并了解這些損耗如何取決于開關(guān)頻率,電流,占空比以及開關(guān)上升和下降時間。此信息指導選擇工具開發(fā)。
 
鑒于現(xiàn)有的MOSFET選擇范圍廣泛,以及為主板電源分配的不斷縮小的空間,使用可靠,一致的方法選擇正確的MOSFET變得越來越重要。這種方法可以加速開發(fā)周期,同時優(yōu)化特定于應用的設(shè)計。
 
經(jīng)常通過功率MOSFET選擇過程的PC主板和電源設(shè)計人員可以從使用電子表格的自動化過程中受益。這種常用工具可以顯著縮短選擇時間,同時為設(shè)計人員提供一個親密,逐步的選擇過程。與算法編程語言相比,在電子表格中實現(xiàn)選擇方法提供了更大的交互,易于微調(diào),以及用于構(gòu)建和維護零件數(shù)據(jù)庫的簡單規(guī)定。
 
為了限制本討論的范圍,請考慮采用同步降壓轉(zhuǎn)換器拓撲的MOSFET選擇方法,該方法適用于PC主板和電信應用的DC / DC轉(zhuǎn)換器。為特定應用尋找合適的MOSFET涉及最小化損耗并了解這些損耗如何取決于開關(guān)頻率,電流,占空比以及開關(guān)上升和下降時間。此信息指導選擇工具開發(fā)。
 
一旦選擇了拓撲結(jié)構(gòu),就可以將MOSFET選擇基于其在電路中的位置和一些器件參數(shù),例如擊穿電壓,載流能力,R ON和R ON溫度系數(shù)。目標是最小化傳導和切換,并選擇具有足夠熱性能的器件。
 
圖1:降壓轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)使用兩個n溝道MOSFET。Q 1是開關(guān)或控制MOSFET,Q 2是同步整流器。L和C包括輸出濾波器,R L是負載電阻。
 
檢查典型的降壓轉(zhuǎn)換器可以了解器件要求如何根據(jù)電路位置的不同而有很大差異(圖1)。該電路從12V電源獲取電源并提供1.5V的輸出電壓,導致Q 1的占空比D為1.5 / 12 = 0.125,同步整流器Q 2的 1-D 。開關(guān)損耗在Q 1中的功耗中占主導地位,因為與Q 2相比,其占空比相對較小。Q 1的電壓偏移是源電壓。雖然Q 2也必須脫離全電源電壓,但在其開關(guān)間隔開始時,體二極管將濾波電感器鉗位到地,所以Q 2的偏移僅限于二極管壓降。小占空比和大偏移對Q 1的上升和下降時間性能提出了要求。導通損耗是R ON的函數(shù),它決定了Q 2的功耗。最小化該歐姆項需要具有最低導通電阻的器件,以根據(jù)成本預期和效率要求處理負載電流。
 
電子表格包括靜態(tài)和動態(tài)損耗的計算,后者是開關(guān)和柵極驅(qū)動損耗的總和。為了便于動態(tài)損耗計算,您需要參考代表性波形(圖2)。在切換之前,MOSFET的功耗源于傳導損耗。藍色三角形下面的區(qū)域描繪了切換過渡時間期間的動態(tài)損耗,每個周期發(fā)生兩次。因此,總動態(tài)損耗與開關(guān)頻率成比例。
 
圖2:開關(guān)Q 1產(chǎn)生I D(綠色)和V DS(紅色)的特征波形。這兩個波形的乘積給出了瞬時功耗P D(藍色)。
 
傳導損耗與MOS器件的導通狀態(tài)溝道電阻成正比:
其中I D是漏極電流,R ON是制造商規(guī)定的標稱環(huán)境溫度下的溝道電阻,D是Q 1的占空比。
 
柵極電容的充電和放電有助于開關(guān)損耗。這種損失還取決于開關(guān)頻率:
其中V G是柵極驅(qū)動電壓,C GS是柵極 - 源極電容,f是開關(guān)頻率。
 
MOSFET選擇的起伏
 
控制開關(guān)Q 1和同步整流器Q 2的要求不同。電流,電壓和功耗額定值是決定器件在任一位置的適用性的關(guān)鍵參數(shù)。Q 1的功耗由下式給出:
在等式1中,第一項反映了傳導損耗,第二項反映了動態(tài)和柵極損耗。I RMS是漏極電流; R ON是溝道電阻; D是占空比; f是開關(guān)頻率; t r和t f分別是切換上升和下降時間; 和V S是輸入源電壓。
同樣,Q 2的功耗由下式給出:
與前一種情況一樣,第一項是傳導損耗,第二項是開關(guān)損耗。注意D是Q 1的占空比。最后一項V D是體二極管正向電壓。通過在Q 2上連接肖特基二極管,可以減少這種損耗并改善電路的開關(guān)動態(tài)。
 
通過計算兩個器件的功耗,您可以根據(jù)封裝和散熱器的熱阻計算溫升:
其中ΔT是環(huán)境溫度上升的攝氏度,P是器件的總功耗,RΘ是總熱阻,它是FET封裝和散熱器的結(jié)殼電阻之和熱阻。還有一個小型的散熱器術(shù)語,通常可以忽略不計 - 特別是當您使用現(xiàn)代熱界面材料時。散熱器可以是明確的機械設(shè)備或具有足夠表面積的印刷電路板跡線(圖3)。
 
圖3:您可以表示2盎司銅印刷電路板走線的熱阻,單位為攝氏度/瓦,與走線面積的函數(shù)關(guān)系。這種厚度的銅是大多數(shù)印刷電路板的典型特征。
 
雖然這些方程式很簡單,可以快速檢查給定MOSFET在特定應用中的適用性,但R ON對結(jié)溫的強依賴性使計算有些復雜化。溫度上升約80℃導致R ON值增加40%。您需要在分析傳導損耗時包含此行為,以計算實際溫升。
如果在公式1中包含R ON的溫度系數(shù),則得到:
其中δ是R ON的溫度系數(shù),單位為°C -1,P D是動態(tài)損耗項,與R ON無關(guān)。
當你替換這些變量為公式2,解決了設(shè)備的Δ 牛逼 S,你會發(fā)現(xiàn):
公式4提供了結(jié)溫升高與負載電流和一組特定MOSFET參數(shù)的函數(shù)關(guān)系。對于商業(yè)應用,結(jié)溫約為105℃通常是良好的首次切割。
 
計算動態(tài)損失
 
上升和下降時間取決于MOSFET和柵極驅(qū)動電路的特性。柵極電荷Q G是柵極電容和驅(qū)動電壓的乘積,通常為4.5V。柵極電容與柵極驅(qū)動器的輸出阻抗相結(jié)合,以限制柵極上升和下降時間:
在這些等式中,V G是等效柵極電壓,V P是柵極驅(qū)動脈沖幅度,R P是柵極驅(qū)動輸出阻抗,C G是柵極電容。
 
當V G達到V P的 99%時,MOSFET完全導通。如果將此關(guān)系替換回公式5,則上升和下降時間將減少為:
您現(xiàn)在可以計算每個設(shè)備的總動態(tài)損耗:
其中V G是參考設(shè)備的門驅(qū)動器。
 
完成設(shè)計
 
從制造商的數(shù)據(jù)表或印刷電路板走線的尺寸確定散熱器的熱阻。圖3顯示了具有2盎司銅的單層印刷電路板的印刷電路板走線熱阻,而其中MOSFET位于其中心的方形銅區(qū)域。根據(jù)可用的印制電路板面積,銅可以作為MOSFET的散熱器。值得注意的是,對于小型設(shè)備,增加超過2平方英寸的面積將不會明顯降低熱阻。
 
在電子表格中,編譯適合您應用的MOSFET數(shù)據(jù)庫。對于同步整流器Q 2,MOSFET必須滿足應用的電壓和電流要求。它還必須具有足夠低的R ON,以使傳導損耗足夠小以滿足效率目標。對于這種MOSFET,柵極電荷在功耗方面起著次要作用。
 
對于控制裝置Q 1,動態(tài)或開關(guān)損耗是主要因素,并且傳導損耗起次要作用。MOSFET應滿足電壓和電流規(guī)范,并盡可能降低柵極電荷,以保持較小的動態(tài)損耗。其次,尋找具有中等R ON的設(shè)備。
 
求解方程3和4,了解數(shù)據(jù)庫中所有MOSFET的溫升。然后,您可以選擇滿足溫升,封裝和價格要求的MOSFET。電子表格解決了選擇MOSFET的公式3和4,可以同時評估多個MOSFET。通過這種方式使用電子表格,您可以執(zhí)行“假設(shè)分析”分析,為應用選擇最佳MOSFET。只要您已經(jīng)了解了設(shè)計中每個器件的導通和開關(guān)損耗要求,就可以將這種基本方法適用于其他拓撲。
要采購開關(guān)么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉