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詳解低成本、低噪聲、高輸入的JFET放大器

發(fā)布時間:2015-11-06 責任編輯:echolady

【導讀】JFET放大器作為具有穩(wěn)定溫度特性的低成本、低噪聲、高輸入的阻抗放大器,仍然存在著增益漂移問題。要想改善這個難題,只要把溫度范圍控制在-55℃至125℃,把漏極電流設為零漂移工作點。本文就來詳解這款低噪聲、低成本、高輸入的JFET阻抗放大器。

詳解低成本、低噪聲、高輸入的JFET放大器
圖1:J310與J309JFET的跨導溫度曲線特性(安森美)。

我們針對此電路測試了多種JFET:索尼的2SK152-2、Interfet的IFN152以及Siliconix/Vishay/OnSemi的J309,因為它們都具有較高的增益和大約100pA的低柵極漏電流。這些JFET特別適用于1MΩ至1GΩ輸入阻抗的放大器設計。這個電路可以輕松地工作到100MHz以上。

詳解低成本、低噪聲、高輸入的JFET放大器
圖2:很寬溫度范圍、增益穩(wěn)定的快速JFET高阻抗放大器。

此電路的一個優(yōu)勢是工作溫度范圍很寬(采用JFET時可達-55℃至125℃)。IC1可以保持在室溫環(huán)境下,用比如數(shù)英尺長的PTFE同軸電纜連接進行溫度隔離。這樣JFET就可以安裝在非常冷的環(huán)境中以便獲得最低的噪聲,而低噪聲是該設計的一個主要目標。

JFETQ1的輸入信號饋送到通過R3偏置到地的柵極(在采用電流源輸入情況下這個R3可以選用較低的阻值)。

JFET的源極通過基于IC1的電流到電壓反相轉換電路進行偏置。對大多數(shù)JFET來說將控制靜態(tài)VGS的電壓Vref設置在0到3V之間,目的是使漏極電流位于零漂移中點,這樣能給輸入信號提供較大的動態(tài)范圍。通過調整,可以將Q1的Vref工作電流調整到約7mA至10mA,接近于零漂移點。為了設置正確,必須單獨分析每個JFET的工作電流。比如對2SK152-2而言,我測試過的1000個JFET的工作電流都在7.5mA±1mA之內。

IC1是一個快速的電流反饋放大器(CFA):ADI公司±12V至±15V的AD812和±5V的AD8009都得到了成功使用。反饋電阻R2可以從500Ω至5kΩ,還要并聯(lián)一個100pF的電容C1,以避免發(fā)生振蕩和過沖。記住,放大器的輸出由于偏置輸出電路的原因有個電壓偏移,因此最適合交流或脈沖信號。在R2/C1組合正確的情況下,10ns至100ns的上升時間是可行的。電流反饋放大器支持的工作增益范圍是2到10,由電阻R2進行設置,當增益太高時,放大器容易振蕩。

R1提供了測試輸出,用于測量流過JFET的電流。它還能產生一個快速的50Ω輸出,可直接連接示波器。輸出信號與輸入相比都是反相的——典型值是±100mV。對于直流偏置信號來說,柵極前面可以用一個約1nf至10nF的耦合電容。

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