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如何精準的設計晶振的匹配電容問題?

發(fā)布時間:2014-09-23 責任編輯:sherryyu

【導讀】單片機晶振旁的2個電容是晶體的匹配電容,只有在外部所接電容為匹配電容的情況下,振蕩頻率才能保證在標稱頻率附近的誤差范圍內(nèi)。 最好按照所提供的數(shù)據(jù)來,如果沒有,一般是30pF左右。太小了不容易起振。 
 
晶振的標稱值在測試時有一個“負載電容”的條件,在工作時滿足這個條件,振蕩頻率才與標稱值一致。一般來講,有低負載電容(串聯(lián)諧振晶體),高負載電容(并聯(lián)諧振晶體)之分。在電路上的特征為:晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上的,則為串聯(lián)諧振型;一只腳接IC,一只腳接地的,則為并聯(lián)型。如確實沒有原型號,需要代用的可采取串聯(lián)諧振型電路上的電容再并一個電容,并聯(lián)諧振電路上串一只電容的措施。例如:4.433MHz晶振,并一只3300PF電容或串一只70P的微調(diào)電容。 
 
常見的晶振大多是二只腳,3腳的晶振是一種集晶振和電容為一體的復合元件。由于在集成電路振蕩端子外圍電路中總是以一個晶振(或其它諧振元件)和兩個電容組成回路,為便于簡化電路及工藝,人們便研制生產(chǎn)了這種復合件。其3個引腳中,中間的1個腳通常是2 個電容連接一起的公共端,另外2個引腳即為晶振兩端,也是兩個電容各自與晶振連接的兩端。由此可見,這種復合件可用一個同頻率晶振和兩個 100~200pF的瓷片電容按常規(guī)連接后直接予以代換。 
 
單片機晶振旁的2個電容是晶體的匹配電容,只有在外部所接電容為匹配電容的情況下,振蕩頻率才能保證在標稱頻率附近的誤差范圍內(nèi)。 
最好按照所提供的數(shù)據(jù)來,如果沒有,一般是30pF左右。太小了不容易起振。 
 
在某些情況下,也可以通過調(diào)整這兩個電容的大小來微調(diào)振蕩頻率,當然可調(diào)范圍一般在10ppm量級。 
 
晶振等效于電感/電容/內(nèi)阻
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