【導讀】許多中高壓MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)結構,而小于200V的產品大多具有溝槽MOS(U-MOS)結構。因此,當耐受電壓VDSS=600V時,Rdrift成為主導因素,當耐受電壓是30V時,因素Rch的比例較高。
(1)MOSFET器件結構將根據要求的耐受電壓來選擇。確定導通電阻RDS(ON)的因素如圖3-7和方程式3-(1)所示。根據器件的結構,決定導通電阻的因素比例將發(fā)生變化。
(2)例如,許多中高壓MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)結構,而小于200V的產品大多具有溝槽MOS(U-MOS)結構。因此,當耐受電壓VDSS=600V時,Rdrift成為主導因素,當耐受電壓是30V時,因素Rch的比例較高。
圖3-7(a)D-MOS的導通電阻決定因素
圖3-7(b)溝槽MOS的導通電阻決定因素
RDS(ON)=Rsub+Rdrift+RJ-FET+Rch+RN+
RDS(ON)=Rsub+Rdrift+Rch+RN+???方程式3-(1)
如果是VDSS=600V,順序為Rdrift >> Rch > RJ-FET,RN+,Rsub和RDS(ON)取決于Rdrift
如果是VDSS=30V,順序為Rch >> Rdrift > RN+,Rsub。溝槽MOS結構的精細圖形化可以最大限度降低RDS(ON)對Rch的依賴性
(來源:東芝半導體)
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