講的通俗易懂一點，用一個曾經(jīng)聽過的笑話來比喻，大概意思就是本飛機(jī)被我劫持了，其他劫持者等下次吧。這個電容就是本次劫機(jī)者。

 

晶振電路其實是個電容三點式振蕩電路，輸出是正玄波晶體等效于電感，加兩個槽路分壓電容，輸入端的電容越小，正反饋量越大。負(fù)載電容每個晶振都會有的參數(shù)，例如穩(wěn)定度是多少PPM，部分人會稱之為頻差，單位都是PPM，負(fù)載電容是多少PF等。當(dāng)晶振接到震蕩電路上 在震蕩電路所引入的電容不符合晶振的負(fù)載電容的容量要求時 震蕩電路所出的頻率就會和晶振所標(biāo)的頻率不同

 

 

再舉例說明：

 

一個4.0000MHz +-20PPM 負(fù)載電容是16PF 的晶振；

 

當(dāng)負(fù)載電容是10PF時 震蕩電路所出的頻率就可能會是4.0003MHz；

 

當(dāng)負(fù)載電容是20PF時 震蕩電路所出的頻率就可能會是3.9997MHz；

 

在一些對頻率精度要求高的電路上如PLL的基準(zhǔn)等。。。就是并多個可調(diào)電容來微調(diào)頻率的；

 

如果對頻率精度要求不高就用固定電容就行了；

 

晶振負(fù)載電容一般有2種接法 1 并聯(lián)在晶振上 2 串聯(lián)在晶振上 ；

 

第2種比較常用 2個腳都接一個電容對交流地。

 

晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。應(yīng)用時一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。

 

晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容,Cic（集成電路內(nèi)部電容）+△C（PCB上電容).就是說負(fù)載電容15pf的話，兩邊個接27pf的差不多了，一般a為6.5～13.5pF

 

各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點式振蕩器。晶振引腳的內(nèi)部通常是一個反相器，或者是奇數(shù)個反相器串聯(lián)。在晶振輸出引腳XO 和晶振輸入引腳 XI 之間用一個電阻連接，對于 CMOS 芯片通常是數(shù) M 到數(shù)十 M 歐之間.很多芯片的引腳內(nèi)部已經(jīng)包含了這個電阻，引腳外部就不用接了。這個電阻是為了使反相器在振蕩初始時處與線性狀態(tài)，反相器就如同一個有很大增益的放大器, 以便于起振。石英晶體也連接在晶振引腳的輸入和輸出之間，等效為一個并聯(lián)諧振回路，振蕩頻率應(yīng)該是石英晶體的并聯(lián)諧振頻率。晶體旁邊的兩個電容接地, 實際上就是電容三點式電路的分壓電容，接地點就是分壓點。以接地點即分壓點為參考點，振蕩引腳的輸入和輸出是反相的，但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來看，形成一個正反饋以保證電路持續(xù)振蕩。在芯片設(shè)計時，這兩個電容就已經(jīng)形成了，一般是兩個的容量相等，容量大小依工藝和版圖而不同，但終歸是比較小，不一定適合很寬的頻率范圍。外接時大約是數(shù) PF 到數(shù)十 P，依頻率和石英晶體的特性而定。需要注意的是：這兩個電容串聯(lián)的值是并聯(lián)在諧振回路上的，會影響振蕩頻率。當(dāng)兩個電容量相等時，反饋系數(shù)是 0.5， 一般是可以滿足振蕩條件的，但如果不易起振或振蕩不穩(wěn)定可以減小輸入端對地電容量，而增加輸出端的值以提高反饋量。

 

設(shè)計考慮事項：

 

1.使晶振、外部電容器（如果有）與 IC之間的信號線盡可能保持最短。當(dāng)非常低的電流通過IC晶振振蕩器時，如果線路太長，會使它對EMC、ESD與串?dāng)_產(chǎn)生非常敏感的影響。而且長線路還會給振蕩器增加寄生電容。

 

2.盡可能將其它時鐘線路與頻繁切換的信號線路布置在遠(yuǎn)離晶振連接的位置。

 

3.當(dāng)心晶振和地的走線

 

4.將晶振外殼接地

 

如果實際的負(fù)載電容配置不當(dāng)，第一會引起線路參考頻率的誤差。另外如在發(fā)射接收電路上會使晶振的振蕩幅度下降(不在峰點)，影響混頻信號的信號強(qiáng)度與信噪。

 

當(dāng)波形出現(xiàn)削峰，畸變時，可增加負(fù)載電阻調(diào)整(幾十K到幾百K)，要穩(wěn)定波形是并聯(lián)一個1M左右的反饋電阻。

 

 

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