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高效能IGBT為高功率應(yīng)用加把勁

發(fā)布時(shí)間:2018-05-09 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見(jiàn)的器件,可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益,究竟它是如何辦到的?讓我們來(lái)進(jìn)一步深入了解。


通過(guò)TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗
 
IGBT是主要用作電子開(kāi)關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件,正如其開(kāi)發(fā)的目的,結(jié)合了高效率和快速的開(kāi)關(guān)功能,它在許多應(yīng)用中切換電力,像是變頻驅(qū)動(dòng)(VFD)、電動(dòng)汽車、火車、變速冰箱、燈鎮(zhèn)流器和空調(diào)。傳統(tǒng)的雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT)的導(dǎo)通電阻小,但是驅(qū)動(dòng)電流大,而MOSFET的導(dǎo)通電阻大,卻有著驅(qū)動(dòng)電流小的優(yōu)點(diǎn)。IGBT正是結(jié)合了這兩者的優(yōu)點(diǎn):不僅驅(qū)動(dòng)電流小,導(dǎo)通電阻也很低。
 
具有四個(gè)交替層(P-N-P-N)的IGBT由不具有再生作用的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)柵極結(jié)構(gòu)控制。由于其設(shè)計(jì)為可以快速地打開(kāi)和關(guān)閉,因此放大器通常會(huì)使用它通過(guò)脈寬調(diào)制和低通濾波器來(lái)合成復(fù)雜的波形。除了將n +漏極替換為p +集電極層之外,IGBT單元的構(gòu)造類似于n溝道垂直構(gòu)造的功率MOSFET,從而形成垂直的PNP雙極結(jié)型晶體管。該附加的p +區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結(jié)型晶體管與表面n溝道MOSFET的級(jí)聯(lián)連接。
 
IGBT將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個(gè)器件中開(kāi)關(guān)的雙極型功率晶體管組合在一起。
 
安森美半導(dǎo)體推出TO247-4L IGBT系列,具有強(qiáng)大且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的Field Stop II Trench結(jié)構(gòu),并且在苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,提供低導(dǎo)通電壓和最小的開(kāi)關(guān)損耗。
 
與標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3L封裝相比,安森美半導(dǎo)體的TO-247-4L IGBT封裝采用TO-247-4L格式,可以降低Eon損耗,并提供分離的開(kāi)關(guān)引腳,可以將Eon損耗降低60%以上。它采用非常高效的Trench Field Stop II技術(shù)構(gòu)建,并針對(duì)具有低導(dǎo)通電壓和最小化開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)的高速開(kāi)關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。通過(guò)優(yōu)化的高速切換,可以提高門控和降低開(kāi)關(guān)損耗。集成具有低正向電壓的軟式、快速共包續(xù)流二極管,可以節(jié)省電路板空間。
 
安森美半導(dǎo)體TO-247-4L IGBT的目標(biāo)應(yīng)用是太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS),全半橋拓?fù)浜椭行渣c(diǎn)鉗位拓?fù)?。它可以支持需?200V解決方案的客戶,并從TO-247-4L封裝所提供的減少Eon開(kāi)關(guān)損耗中獲益。安森美半導(dǎo)體目前是唯一一家提供1200V器件的公司。
 
安森美半導(dǎo)體的TO-247-4L Field Stop II IGBT系列包括NGTB50N65FL2WA(650 V,50 A)、NGTB75N65FL2WA(650 V,75 A)、FGH75T65SQDTL4(650 V,75 A)、NGTB40N120FL2WA(1200 V,40 A)、NGTB25N120FL2WA(1200V,25A)和NGTB50N120FL2WA(1200V,50A)等。這些器件采用改進(jìn)的門控制來(lái)降低開(kāi)關(guān)損耗,具有非常高效的帶Field Stop技術(shù)的溝槽,TJmax等于175°C。獨(dú)立的發(fā)射器驅(qū)動(dòng)引腳和采用TO-247-4封裝,可確保最小的Eon損耗。針對(duì)高速切換進(jìn)行了優(yōu)化,并均是無(wú)鉛器件,適用于工業(yè)應(yīng)用。
 
安森美半導(dǎo)體的TO-247-4L Field Stop II IGBT系列采用先進(jìn)的Field Stop II Trench架構(gòu)技術(shù),可有效地提高IGBT的運(yùn)作效率,并降低Eon損耗,是高功率電源應(yīng)用的理想選擇。



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