【導(dǎo)讀】于三極管的電流增益在正向與反向(也就是將C,E對(duì)調(diào))的變化通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量,觀察到其中的數(shù)據(jù)的分散。對(duì)于三極管的CB,EB的PN的反向擊穿電壓進(jìn)行測(cè)量,他們與電流增益之間的也是沒有明顯的相關(guān)關(guān)系。
01 BJT正反特性
一、BJT正反對(duì)稱嗎?
從基本結(jié)構(gòu)上,雙極性三極管(Bipolar Junction Transistor),無論是NPN還是PNP型,關(guān)于基極(base)是對(duì)稱。但如果將集電極(collector),發(fā)射極(emitter)進(jìn)行對(duì)換,三極管的特性參數(shù)會(huì)出現(xiàn)變化,最為突出的參數(shù)是:
● 電流放大倍數(shù)hFE(β);通常情況下,正向的hFE比起反向(也就是將C,E對(duì)調(diào))要大;
● 集電極反向擊穿電壓;通常情況下,集電極的反向電壓遠(yuǎn)大于發(fā)射極反向擊穿電壓;
??
上述不同主要來自于BJT三極管實(shí)際結(jié)構(gòu)以及制作C,E半導(dǎo)體的工藝不同。
圖1.1.1 BJT符號(hào)表示與實(shí)際工藝示意圖
??
那么,有一個(gè)問題:兩個(gè)方向的電流放大倍數(shù)的差異與反向擊穿電壓的差異有關(guān)系嗎?
??
如果回答這個(gè)問題,只需要從半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論,推導(dǎo)出三極管決定hFE、PN反向擊穿電壓決定參數(shù)便可以得到答案。
??
當(dāng)然對(duì)于這個(gè)問題,也可以從非專業(yè)角度,直接測(cè)試一批三極管的上述參數(shù),可以檢查它們之間是否具有相關(guān)聯(lián)性。
二、測(cè)量hFE方法
1、測(cè)量hFE
最簡(jiǎn)單測(cè)量BJT電流放大倍數(shù)就是使用帶有測(cè)量hFE功能的數(shù)字萬用表進(jìn)行測(cè)量。
??
根據(jù) How to Measure Gain (β) of a BJT 給出的測(cè)量BTJ電流增益電路圖,搭建測(cè)量電路圖。
(1)測(cè)量NPN型三極管hFE
下圖中參數(shù)設(shè)置:
圖1.2.1 用于測(cè)試的2N3904測(cè)試結(jié)果
??
三極管的基極被運(yùn)放固定在GND。假設(shè)它的發(fā)射極的電壓為Vb,那么考慮第一個(gè)運(yùn)放,它的正,負(fù)輸入端都為Vb。根據(jù)R3=R5,所以它的輸出電壓與輸入滿足:
??
那么:
這樣可以計(jì)算出的大?。?/p>
??
上式化簡(jiǎn)過程使用到
第二個(gè)運(yùn)放輸出:。綜上,可以獲得待測(cè)三極管的電流增益為:
(2)測(cè)量PNP型三極管hFE
??
測(cè)量PNP型BJT三極管的hFE,只要將上面的V+修改成負(fù)電壓就可以了。
2、搭建測(cè)試電路
(1)搭建測(cè)試電路
??
在面包板上搭建測(cè)量電路,其中的雙運(yùn)放使用 LM358[1] 構(gòu)成。電路的工作電壓為±9V。
圖1.2.2 在面包板上搭建的測(cè)量電路
(2)測(cè)試三極管
??
選擇一個(gè)NPN三極管2N3904進(jìn)行測(cè)試。使用 晶體管測(cè)試助手[2] 測(cè)量它的基本參數(shù)為。
圖1.2.3 用于測(cè)試的三極管基本參數(shù)
(3)測(cè)試數(shù)據(jù)
??
為了獲得與上述晶體管助手測(cè)量的結(jié)果可比性,選取,這樣三極管的。
??
測(cè)量得到??梢杂?jì)算出三極管的hFE參數(shù):
(4)測(cè)試三極管反向hFE
??
如果還是維持測(cè)量電路工作電壓為±9V,會(huì)出現(xiàn)Vb電壓為負(fù)值,考慮到這種情況是三極管2N3904在方向后,也就是將C,E對(duì)調(diào),B-E PN結(jié)反向擊穿,造成的結(jié)果,將LM358的工作電壓降低到±6V,這種現(xiàn)象笑出了。
? ● 測(cè)試條件:
???Va:0.2V
???Vb:2.942
??
根據(jù)上述條件計(jì)算出2N3904的反向電流放大倍數(shù):
?
通過上述測(cè)量結(jié)果,可以看到,對(duì)于2N3904正向與反向的電流增益相差:倍。
三、測(cè)量反向擊穿電壓
1、測(cè)量方法
??
測(cè)量三極管的PN結(jié)反向擊穿電壓使用 ?,?AR907C絕緣電阻測(cè)試儀基本實(shí)驗(yàn)[3] 的高壓測(cè)量特性來測(cè)量。
圖1.3.1 利用AR907C+數(shù)字萬用表測(cè)量器件的擊穿電壓
2、測(cè)量結(jié)果
??
利用上面測(cè)量方法,測(cè)量2N3904的PN結(jié)反向擊穿電壓。
? ● PN結(jié)反向擊穿電壓:
???E-B PN結(jié):9.84V
???C-B PN結(jié):108.7V
??
通過上述測(cè)量結(jié)果來看,2N3904 的EB,CB的PN結(jié)反向擊穿電壓相差倍左右。
??
初步來看,一個(gè)三極管的正向,反向的電流增益相差結(jié)果與CB,EB PN結(jié)反向擊穿電壓之間并沒有數(shù)值上的直接關(guān)系。不過可以通過若干種不同的三極管上述數(shù)值關(guān)系來測(cè)量其中存在的關(guān)系。
02 測(cè)試數(shù)據(jù)
一、測(cè)試一組BJT數(shù)據(jù)
選擇手邊的24鐘三級(jí)豐潤樣品,分別測(cè)試它們對(duì)應(yīng)的正向與反向的電流增益,CB-EB的PN結(jié)反向擊穿電壓。
圖2.1.1 用于實(shí)驗(yàn)的三極管
1、測(cè)試方法
??
通過以下步驟對(duì)于每個(gè)三極管進(jìn)行測(cè)試。
● 使用晶體管特性模塊測(cè)量三極管的管腳分布以及電流增益;
● 使用上面搭建面包板上的三極管測(cè)量電路elder三極管的正向與反向電流增益;
● 使用絕緣電阻測(cè)試表測(cè)量三極管的CB,EB反向擊穿電壓數(shù)值;
??
然后對(duì)于結(jié)果在進(jìn)行分析。
2、測(cè)量結(jié)果
??
自己觀察上面表格測(cè)量的數(shù)據(jù),可以看到三極管的hFE的正向與反向的變化并沒有太大的規(guī)律。而對(duì)應(yīng)的CB,EB的PN的反向擊穿電壓則大體處在相同的數(shù)值。
二、測(cè)量Ie與hFE關(guān)系
在 三極管hFE參數(shù)隨著Ic,Vc的變化情況[4] 測(cè)試了BJT的hFE隨著Ic之間的關(guān)系。下面對(duì)于前面測(cè)量的三極管測(cè)量不同Ie下對(duì)應(yīng)的hFE。
1、測(cè)量9013
??
使用DP1038數(shù)控DC電源設(shè)置Va,測(cè)量不同設(shè)置電壓下對(duì)應(yīng)的hFE。
??
下面是第一次測(cè)量,看到對(duì)于電流非常小的情況下,對(duì)應(yīng)的hFE非常大,這一點(diǎn)與常見到的BJT在小電流下對(duì)應(yīng)的hFE較小矛盾,所以猜測(cè)這是由于電路的零偏造成的誤差。
圖2.2.1 測(cè)量9013不同的Ie下對(duì)應(yīng)的hFE
??
下圖顯示了設(shè)置電壓從0.5 變化到10V對(duì)應(yīng)的hFE的情況。對(duì)于電壓超過7V左右,hFE呈現(xiàn)線性上升,這一點(diǎn)可有是由于LM358工作電壓在±9V所引起的輸出飽和引起的。
圖2.2.2 測(cè)量9013不同的Ie下對(duì)應(yīng)的hFE
??
下面將LM358的工作電壓修改到±12V,重新測(cè)量輸入電壓在1 ~ 10V的對(duì)應(yīng)的測(cè)量結(jié)果。
圖2.2.3 測(cè)量9013不同的Ie下對(duì)應(yīng)的hFE
2、測(cè)量8050
圖2.2.4 對(duì)于不同的Ie下晶體管hFE的數(shù)值
3、測(cè)量2222
圖2.2.5 對(duì)于不同Ie晶體管的hFE
4、測(cè)量BC549
圖2.2.6 不同Ie下晶體管hFE
※ 測(cè)量總結(jié) ※
關(guān)于三極管的電流增益在正向與反向(也就是將C,E對(duì)調(diào))的變化通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量,觀察到其中的數(shù)據(jù)的分散。對(duì)于三極管的CB,EB的PN的反向擊穿電壓進(jìn)行測(cè)量,他們與電流增益之間的也是沒有明顯的相關(guān)關(guān)系。
參考資料
[1]LM358: https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/120951959
[2]晶體管測(cè)試助手: https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/109223139
[3]?,?AR907C絕緣電阻測(cè)試儀基本實(shí)驗(yàn): https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/120628992
[4]三極管hFE參數(shù)隨著Ic,Vc的變化情況: https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/109242968
來源: TsinghuaJoking
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀:
使用超級(jí)電容器實(shí)現(xiàn)備用電源的有效方法
用于距離測(cè)量和目標(biāo)檢測(cè)的飛行時(shí)間系統(tǒng)
移動(dòng)設(shè)備的 ESD 設(shè)計(jì)戰(zhàn)略:您的 SEED 工具