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硬件開(kāi)發(fā),我想和MOS管聊聊

發(fā)布時(shí)間:2019-05-16 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】MOS 管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一,無(wú)論是在IC 設(shè)計(jì)里,還是板級(jí)電路應(yīng)用上,都十分廣泛。目前尤其在大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,各種結(jié)構(gòu)的 MOS 管更是發(fā)揮著不可替代的作用。作為一個(gè)基礎(chǔ)器件,往往集簡(jiǎn)單與復(fù)雜與一身,簡(jiǎn)單在于它的結(jié)構(gòu),復(fù)雜在于基于應(yīng)用的深入考量。
 
因此,作為硬件開(kāi)發(fā)者,想在電路設(shè)計(jì)上進(jìn)階,搞懂 MOS 管是必不可少的一步,今天來(lái)聊聊。
 
一、 MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
 
作為半導(dǎo)體器件,它的來(lái)源還是最原始的材料,摻雜半導(dǎo)體形成的 P 和 N 型物質(zhì)。
 
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那么,在半導(dǎo)體工藝?yán)?,如何制?MOS 管的?
 
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這就是一個(gè) NMOS 的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖,一個(gè)看起來(lái)很簡(jiǎn)單的三端元器件。具體的制造過(guò)程就像搭建積木一樣,在一定的地基(襯底)上依據(jù)設(shè)計(jì)一步步“蓋”起來(lái)。
 
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MOS 管的符號(hào)描述為:
 
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二、 MOS 管的工作機(jī)制
 
以增強(qiáng)型 MOS 管為例,我們先簡(jiǎn)單來(lái)看下 MOS 管的工作原理。
 
由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類似三極管,也是背靠背的兩個(gè)PN結(jié)!三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過(guò)電子-空穴復(fù)合來(lái)控制CE之間的導(dǎo)通,MOS 管則利用電場(chǎng)來(lái)在柵極形成載流子溝道來(lái)溝通DS之間。
 
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如上圖,在開(kāi)啟電壓不足時(shí),N區(qū)和襯底P之間因?yàn)檩d流子的自然復(fù)合會(huì)形成一個(gè)中性的耗盡區(qū)。
 
給柵極提供正向電壓后,P區(qū)的少子(電子)會(huì)在電場(chǎng)的作用下聚集到柵極氧化硅下,最后會(huì)形成一個(gè)以電子為多子的區(qū)域,叫反型層,稱為反型因?yàn)槭窃赑型襯底區(qū)形成了一個(gè)N型溝道區(qū)。這樣DS之間就導(dǎo)通了。
 
下圖是一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS管開(kāi)啟模擬:
 
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這是MOS管電流Id隨Vgs變化曲線,開(kāi)啟電壓為1.65V。下圖是MOS管的IDS和VGS與VDS 之間的特性曲線圖,類似三極管。
 
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下面我們先從器件結(jié)構(gòu)的角度看一下MOS管的開(kāi)啟全過(guò)程。
 
1、   Vgs 對(duì)MOS 管的開(kāi)啟作用
 
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一定范圍內(nèi) Vgs>Vth,Vds<Vgs-Vth,Vgs 越大,反型層越寬,電流越大。這個(gè)區(qū)域?yàn)?MOS 管的線性區(qū)(可變電阻區(qū))。即:
 
Vgs 為常數(shù)時(shí),Vds 上升,Id 近似線性上升,表現(xiàn)為一種電阻特性。
 
Vds 為常數(shù)時(shí),Vgs 上升,Id 近似線性上升,表現(xiàn)出一種壓控電阻的特性。
 
即曲線左邊
 
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2、   Vds對(duì)MOS管溝道的控制
 
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當(dāng)Vgs>Vth,Vds<Vgs-Vth時(shí),分析同上曲線左側(cè),電流Id隨Vds上升而上升,為可變電阻區(qū)。
 
當(dāng)Vds>Vgs-Vth后,我們可以看到因?yàn)镈S之間的電場(chǎng)開(kāi)始導(dǎo)致右側(cè)的溝道變窄,電阻變大。所以電流Id增加開(kāi)始變緩慢。當(dāng)Vds增大一定程度后,右溝道被完全夾斷了!
 
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此時(shí)DS之間的電壓都分布在靠近D端的夾斷耗盡區(qū),夾斷區(qū)的增大即溝道寬度W減小導(dǎo)致的電阻增大抵消了Vds對(duì)Id的正向作用,因此導(dǎo)致電流Id幾乎不再隨Vds增加而變化。此時(shí)的D端載流子是在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下掃過(guò)耗盡區(qū)達(dá)到S端!
 
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這個(gè)區(qū)域?yàn)?MOS 管的恒流區(qū),也叫飽和區(qū),放大區(qū)。
 
但是因?yàn)橛袦系勒{(diào)制效應(yīng)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度 L 有變化,所以曲線稍微上翹一點(diǎn)。
 
重點(diǎn)備注:MOS 管與三極管的工作區(qū)定義差別
 
三極管的飽和區(qū):輸出電流 Ic 不隨輸入電流 Ib 變化。
 
MOS 管的飽和區(qū):輸出電流 Id 不隨輸出電壓 Vds 變化。
 
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3、擊穿
 
Vgs 過(guò)大會(huì)導(dǎo)致柵極很薄的氧化層被擊穿損壞。
 
Vds 過(guò)大會(huì)導(dǎo)致D和襯底之間的反向PN結(jié)雪崩擊穿,大電流直接流入襯底。
 
三、 MOS 管的開(kāi)關(guān)過(guò)程分析
 
如果要進(jìn)一步了解MOS管的工作原理,剖析MOS管由截止到開(kāi)啟的全過(guò)程,必須建立一個(gè)完整的電路結(jié)構(gòu)模型,引入寄生參數(shù),如下圖。
 
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詳細(xì)開(kāi)啟過(guò)程為:
 
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t0~t1階段:柵極電流對(duì)Cgs和Cgd充電,Vgs上升到開(kāi)啟電壓Vgs(th),此間,MOS沒(méi)有開(kāi)啟,無(wú)電流通過(guò),即MOS管的截止區(qū)。在這個(gè)階段,顯然Vd電壓大于Vg,可以理解為電容 Cgd 上正下負(fù)。
 
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t1~t2 階段:Vgs達(dá)到Vth后,MOS管開(kāi)始逐漸開(kāi)啟至滿載電流值Io,出現(xiàn)電流Ids,Ids與Vgs呈線性關(guān)系,這個(gè)階段是MOS管的可變電阻區(qū),或者叫線性區(qū)。
 
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t2~t3階段:在MOS完全開(kāi)啟達(dá)到電流Io后,柵極電流被完全轉(zhuǎn)移到Ids中,導(dǎo)致Vgs保持不變,出現(xiàn)米勒平臺(tái)。在米勒平臺(tái)區(qū)域,處于MOS管的飽和區(qū),或者叫放大區(qū)。
 
在這一區(qū)域內(nèi),因?yàn)槊桌招?yīng),等效輸入電容變?yōu)椋?+K)Cgd。
 
米勒效應(yīng)如何產(chǎn)生的:
 
在放大區(qū)的 MOS管,米勒電容跨接在輸入和輸出之間,為負(fù)反饋?zhàn)饔谩>唧w反饋過(guò)程為:Vgs 增大>mos開(kāi)啟后Vds開(kāi)始下降>因?yàn)槊桌针娙莘答亴?dǎo)致Vgs 也會(huì)通過(guò)Cgd放電下降。這個(gè)時(shí)候,因?yàn)橛型獠繓艠O驅(qū)動(dòng)電流,所以才會(huì)保持了Vgs 不變,而Vds還在下降。
 
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t3~t4階段:渡過(guò)米勒平臺(tái)后,即Cgd反向充電達(dá)到Vgs,Vgs繼續(xù)升高至最終電壓,這個(gè)電壓值決定的是MOS管的開(kāi)啟阻抗Ron大小。
 
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我們可以通過(guò)仿真看下具體過(guò)程:
 
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由上面的分析可以看出米勒平臺(tái)是有害的,造成開(kāi)啟延時(shí),不能快速進(jìn)入可變電阻區(qū),導(dǎo)致?lián)p耗嚴(yán)重,但是這個(gè)效應(yīng)又是無(wú)法避免的。
 
目前減小 MOS 管米勒效應(yīng)的幾種措施:
 
a: 提高驅(qū)動(dòng)電壓或者減小驅(qū)動(dòng)電阻,目的是增大驅(qū)動(dòng)電流,快速充電。但是可能因?yàn)榧纳姼袔?lái)震蕩問(wèn)題。
 
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b: ZVS 零電壓開(kāi)關(guān)技術(shù)是可以消除米勒效應(yīng)的,即在 Vds 為 0 時(shí)開(kāi)啟溝道,在大功率應(yīng)用時(shí)較多。
 
c: 柵極負(fù)電壓驅(qū)動(dòng),增加設(shè)計(jì)成本。
 
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d: 有源米勒鉗位。即在柵極增加三極管,關(guān)斷時(shí)拉低柵極電壓。
 
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四、 MOS 管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
 
上面已經(jīng)詳細(xì)介紹了 MOS 管的工作機(jī)制,那么我們?cè)賮?lái)看 datasheet 這些參數(shù)就一目了然了。
 
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極限值參數(shù)代表應(yīng)用時(shí)的最高范圍,功耗和散熱是高功率應(yīng)用時(shí)的重點(diǎn)。
 
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功率應(yīng)用中尤其考慮導(dǎo)通電阻、米勒電容等,高速應(yīng)用中重點(diǎn)考慮寄生電容。
 
漏電流的參數(shù)一般影響的是大規(guī)模集成芯片的功耗。
 
反向恢復(fù)時(shí)間是一個(gè)重要參數(shù),它表示 MOS 管由開(kāi)啟到截止的恢復(fù)時(shí)間,時(shí)間太長(zhǎng)會(huì)極大影響速度和功耗。
 
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體二極管:
 
在分立器件NMOS管中,S端一般襯底,所以導(dǎo)致DS之間有一個(gè)寄生二極管。
 
但是在集成電路內(nèi)部,S端接低電位或者高電位,不一定接襯底,所以就不存在寄生二極管。
 
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寄生二極管具有保護(hù) MOS 管的作用,導(dǎo)出瞬間反向的大電流。 
 
MOS 的驅(qū)動(dòng)是應(yīng)用設(shè)計(jì)的重點(diǎn),接下來(lái)我們聊聊有哪些驅(qū)動(dòng)方式和特點(diǎn)。
 
4.1 直接驅(qū)動(dòng)
 
驅(qū)動(dòng)芯片直接輸出 PWM 波
 
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特點(diǎn):驅(qū)動(dòng)環(huán)路距離不能太遠(yuǎn),否則因?yàn)榧纳姼薪档烷_(kāi)關(guān)速度和導(dǎo)致振鈴。另外,一般驅(qū)動(dòng)器也難以提供很大的驅(qū)動(dòng)電流。
 
4.2 推挽式驅(qū)動(dòng)
 
PWM 驅(qū)動(dòng)通過(guò)推挽結(jié)構(gòu)來(lái)驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O
 
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特點(diǎn):實(shí)現(xiàn)較小的驅(qū)動(dòng)環(huán)路和更大的驅(qū)動(dòng)電流,柵極電壓被鉗位在 Vb+Vbe 和 GND 與Vbe 之間。
 
4.3 柵極驅(qū)動(dòng)加速電路
 
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并聯(lián)二極管可以分流,但是隨著電壓降低,二極管逐漸失去作用。
 
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4.4  PNP關(guān)斷電路
 
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特點(diǎn):PNP 在關(guān)斷時(shí)形成短路放電,但是無(wú)法完全為 0,二極管 Don 可以鉗位防止三極管擊穿。
 
五、 小結(jié)
 
以上大概詳細(xì)介紹了MOS管這一半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件的工作原理和應(yīng)用,具體到工作中還需要的是實(shí)際測(cè)試和實(shí)驗(yàn),特別是不斷在一些應(yīng)用中,尤其是應(yīng)用問(wèn)題中加深理解。這樣或許才能真正的把相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)融入到自己的能力中,游刃有余的解決技術(shù)問(wèn)題。搞技術(shù)嘛,和做人一樣,從小處做,往高處看。
 
原創(chuàng): 硬漢
 
 
參考:
 
● Power MOSFET Avalanche Guideline----SungmoYoung, Application Engineer
● Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-onof MOSFET
● Prediction of MOS switching-off loss basedon parameters of datasheet
● Power MOS FET Application Note
● Design And Application Guide for HighSpeedMOSFET Gate Drive Circuits
 
 
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