【導(dǎo)讀】EMC 其實(shí)是伴隨著近代電子產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展而誕生的。到上個世紀(jì)末,隨著電子、電氣設(shè)備的急劇增加。EMC 已經(jīng)擴(kuò)展到眾多的領(lǐng)域,可以毫不夸張的說:哪里有電子產(chǎn)品,哪里就有EMC問題。西方國家對此的要求也越來越苛刻,EMC 已成為發(fā)展中國家電子產(chǎn)品進(jìn)入西方市場的貿(mào)易壁壘之一。
EMC的重要性
早在上個世紀(jì)八十年代初,美國新澤西州一家醫(yī)院產(chǎn)科病房區(qū)的嬰兒死亡率相當(dāng)高。深夜,監(jiān)視嬰兒的監(jiān)視器上的警示燈總是無緣無故地熄滅。對此,護(hù)士們很惱火,于是她們將監(jiān)視器關(guān)閉,來回逐一巡視。
經(jīng)過一番初步調(diào)查后,教授查明了這件事情的真相,原來附近一電視臺的發(fā)射機(jī)得到美國通信委員會的許可,在大約午夜后可將其輸出功率提高得相當(dāng)高,但必須在早上六點(diǎn)前,或其它指定的時間,恢復(fù)到原來的水平。護(hù)士站與每個嬰兒的監(jiān)視器間的連接電纜在這些干擾頻率處發(fā)生諧振,感應(yīng)的電壓而使監(jiān)視器警示燈熄滅。醫(yī)院在發(fā)現(xiàn)這個問題之前,已有差不多六名小孩死亡。
再有一個例子:有這樣的一個客戶投訴反應(yīng),當(dāng)在機(jī)房內(nèi)開啟一臺開關(guān)電源時,該公司的100M速度的局域網(wǎng)出現(xiàn)速度下降并停止的現(xiàn)象,而10M速度的網(wǎng)絡(luò)卻沒有受影響。關(guān)掉電源,網(wǎng)絡(luò)恢復(fù)正常。
后經(jīng)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),該開關(guān)電源的高頻干擾信號藕合到網(wǎng)絡(luò)線上,使網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)故障。
EMC 發(fā)展的歷史
EMC 其實(shí)是伴隨著近代電子產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展而誕生的。到上個世紀(jì)末,隨著電子、電氣設(shè)備的急劇增加。EMC 已經(jīng)擴(kuò)展到眾多的領(lǐng)域,可以毫不夸張的說:哪里有電子產(chǎn)品,哪里就有EMC問題。西方國家對此的要求也越來越苛刻,EMC 已成為發(fā)展中國家電子產(chǎn)品進(jìn)入西方市場的貿(mào)易壁壘之一。
對企業(yè)來講,不同的EMC設(shè)計(jì)概念,會導(dǎo)致不同的成本和時間上的浪費(fèi)。
EMC的內(nèi)容
●基本概念:
★EMC(電磁兼容性):Electromagnetic Compatibility
★EMI(電磁干擾):Electromagnetic Interference
★EMS(電磁抗擾性):Electromagnetic Susceptibility
★ESD(靜電):Electrostatic Discharges
★RS(輻射抗干擾):Radiated Susceptibility
★EFT(電快速瞬變脈沖群): Electronic fast transients
★SURGE(雷擊浪涌)
★CS(傳導(dǎo)抗干擾):Conducted Susceptibility
●EMC =EMI +EMS
★EMI = Conduction( Harmonic) +Radiation
★EMI 三要素:下為系統(tǒng)級的,請大家想想PCB級的。
開關(guān)電源 EMI 探討
●EMI 產(chǎn)生的根源:
★第一、開關(guān)電源的最大缺點(diǎn)是因切換動作(TURN-ON或TURN OFF)產(chǎn)生雜訊電壓為其雜訊源。因切換動作的波形為方波,而方波含有很多高次諧波。( dv/dt)
★第二、由于開關(guān)電晶體的非線性及二極體的反向恢復(fù)特性,電流作快速的非線性變化引起雜訊。 (di/dt)
●EMI的傳播方式和途徑:
★EMI干擾信號按其特性可分為共模信號(COMMON MODE)和差模信號(DIFFERENTIAL MODE)。
★共模信號:干擾信號電流的在兩條回路的導(dǎo)線上的電流方向相對大地是相同的信號,稱為共模信號,見下左圖;
★差模信號:干擾信號電流的在兩條回路的導(dǎo)線上的電流方向相對大地是相反的信號,稱為差模信號,見下右圖。
●常用低通濾波結(jié)構(gòu)的劃分
●電源輸入濾波器的設(shè)計(jì):
★共模差模分開設(shè)計(jì)(以π型為例)
★濾波器共模部分設(shè)計(jì)
★濾波器差模部分設(shè)計(jì)
●濾波器的安裝:
●共模電感的繞制
共模扼流圈中的負(fù)載電流產(chǎn)生的磁場相互抵銷,因此磁芯不會飽和。
●磁珠阻抗
注意:共模電感和磁珠 需要測量溫升!!
拓?fù)銭MI 分析舉例
Flyback 架構(gòu)EMI 分析
●Flyback架構(gòu)的高頻等效模型
●Noise 源:
大的di/dt和dv/dt 產(chǎn)生的地方,對Flyback架構(gòu)來說,會產(chǎn)生這些變化的主要有:
★變壓器TX1;
★MOSFET Q1 ;
★輸出二極管D1;
★芯片的RC振蕩;
★驅(qū)動信號線;
Q1 上 Vds 的波形
MOSFET 動作時產(chǎn)生的Noise :如 上圖所示,主要來自三個方面:
①M(fèi)osfet開通、關(guān)斷時,具有很寬的頻譜含量,開關(guān)頻率的諧波本身就是較強(qiáng)的干擾源。
②關(guān)斷時的振蕩 1產(chǎn)生較強(qiáng)的干擾。
③關(guān)斷時的振蕩 2產(chǎn)生較強(qiáng)的干擾。
開關(guān)管 Q1關(guān)斷,副邊二極管D1導(dǎo)通時(帶載),原邊的勵磁電感被鉗制,原邊漏感Lep的能量通過Q1的寄生電容Cds進(jìn)行放電,主放電回路為Lep—Cds—Rs—C1—Lep,此時產(chǎn)生振蕩振蕩的頻率為:
在Lep上的振蕩電壓Vlep迭加在2Vc1上,致使Vds=2Vc1+Vlep 。振蕩的強(qiáng)弱,將決定我們選取的管子的耐壓值、電路的穩(wěn)定性。
量測Lep=6.1uH, Q1為2611查規(guī)格書可得Coss=190pF(Coss近似等于Cds),而此充電板為兩個管子并聯(lián),所以Cds=380pF 。由上式可求得f =3.3 MHz,和下圖中的振蕩頻率吻合。
從圖中可看出 此振蕩是一衰減的振蕩波,其初始的振蕩峰值決定于振蕩電路的Q值:Q值越大,峰值就越大。Q值小,則峰值小。為了減小峰值,可減小變壓器的漏感Lep,加大Cds和電路的阻抗R。而加入Snubber電路是 極有效之方法。
振蕩2發(fā)生在Mosfet Q1關(guān)斷,副邊二極管由通轉(zhuǎn)向關(guān)斷,原邊勵磁電感被釋放(這時Cds被充至2Vc1),Cds和原邊線圈的雜散電容Clp為并聯(lián)狀態(tài),再和原邊電感Lp(勵磁電感和漏感之和)發(fā)生振蕩。放電回路同振蕩1。振蕩頻率為:
在Lp上的振蕩電壓Vlp迭加在Vc1上,致使Vds=Vc1+Vlp 。量測Lp=0.4mH;Q1為2611,查規(guī)格書可得Coss=190pF(Coss近似等于Cds),而此充電板為兩個管子并聯(lián),所以Cds=380pF;Clp在200KHz時測得為Clp=1.6nF。由上式可求得:f =178.6KHz,和下圖中190.5K吻合。
●我們可實(shí)行的改善措施有兩個:
★1、減小Noise的大?。?/div>
★2、切斷或改善傳播途徑。
1.減小Noise 的大?。?/div>
首先考慮以下三個方面:
①M(fèi)osfet、Diode動作時,具有很寬的頻譜含量,開關(guān)頻率的諧波本身就是較強(qiáng)的干擾源。
措施:在滿足所要求的效率、溫升條件下,我們可盡量選開關(guān)較平緩的管子。而通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電阻也可達(dá)到這一目的。
②Q1、D1 的振蕩 1會產(chǎn)生較強(qiáng)的干擾。
措施:
*對寄生電容Cds、Cj 的處理:在Q1的ds極、二極管的兩端各并上一681小電容,來降低電路的Q 值,從而降低振蕩的振幅A,同時能降低振蕩頻率f。需注意的是:此電容的能量1/2Cu2將全部消耗在Q1上,所以管子溫升是個問題。解決的辦法是使用RC snubber, 讓能量 消耗在 R上。同時R能起到減小振幅的作用。
*對變壓器的漏感Le的處理:
1、變壓器采用 三明治 繞法,以減小漏感。
2、在變壓器的繞組上加吸收電路。
3、減小Q1 D極到變壓器的引線長度。(此引線電感和漏感相迭加)采取上述 措施降低振蕩 1的影響之后得下圖。
③: Q1 D1 上的振蕩 2 會產(chǎn)生較強(qiáng)干擾。
分析方法和②相同,但此時 電感已變得很大了(主要為為勵磁電感),因此漏感和引線電感對③的影響相對較小。
同樣從上面的分析中,可看出Nosie 的傳播途徑主要是通過變壓器的雜散電容Ctx;
Mosfet/Diode到散熱片的雜散電容Cm/Cd;及散熱片到地的雜散電容Ce等途徑而耦合到LISN被取樣電阻所俘獲。
措施一:在Rs的地端和C2的地間接一個Y電容(472)。
原理分析:它的作用是雙重的,一是為Mosfet動作產(chǎn)生且串到變壓器副邊的noise 電流(如I4),提供一個低阻抗的回路,減小到地的電流。二是為二次側(cè)Diode產(chǎn)生的且串到變壓器原邊的noise 電流提供低阻抗回路,從而減小流過LISN的電流。
其效果如下圖:紅色為:未改善之前;藍(lán)色為:采取措施之后
措施二:變壓器加法拉第銅環(huán):
變壓器是Noise傳播的主要通道之一,其中初級線圈和次級線圈間雜散電容Ctx是重要因素。而在變壓器內(nèi)部加法拉第銅環(huán)是減小Ctx 的有效的方法之一。
措施三:散熱片接Rs的地端:
目的為了將 散熱片-Ce—地-LISN這一支路 旁路掉,從而減小到地的電流。其效果如下圖:可看出,在低頻時較有效;在高頻時, 效果不明顯,這主要是因?yàn)樵诟哳l時,管腳直接對地的電容已有相當(dāng)?shù)淖饔谩?/div>
紅色為:散熱片未接地;藍(lán)色為:散熱片接地
當(dāng)綜合上述所有措施后,EMI總效果對比如圖所示:
紅色為:未采取措施前;藍(lán)色為:綜合上述措施后
國際認(rèn)證體系簡介
●歐洲地區(qū) :
認(rèn)證EMC Mark EMC
Standard 分為EMI (電磁干擾測試) & EMS (電磁相容測試) 兩部分:
★1. EMI部分為 EN55022, EN61000-3-2, EN61000-3-3;
★2. EMS部分為 EN55024 內(nèi)含7項(xiàng)測試:
EN55022為Radiation Test & Conduction Test (傳導(dǎo) & 幅射測試);
EN61000-3-2為Harmonic Test (電源諧波測試);
EN61000-3-3為Flicker Test (電壓變動測試)
EN61000-4-2為ESD Test (靜電測試);
EN61000-4-3為RS Test EN61000-4-4為EFT Test (電子快速脈衝測試);
EN61000-4-5為Surge Test (雷擊測試)
EN61000-4-6為CS Test (傳導(dǎo)耐受度測試);
EN61000-4-8為PFMF Test EN61000-4-11為DIP Test (電壓突降測試)
●美洲地區(qū):
認(rèn)證EEMI Mark FCC (強(qiáng)制性)
Standard FCC Part 15 (EMI 電磁干擾測試)
申請方式
1. Class A 自我認(rèn)證
2. Class B DOC 自我認(rèn)證方式
3. Class B 經(jīng)由TCB認(rèn)證, 取得FCC ID Number
<注> 以前ITE產(chǎn)品可直接送FCC認(rèn)證, 取得FCC ID, 但自2000/11/15起FCC已不再認(rèn)證, 授權(quán)由TCB 發(fā)ID Number, 而TCB只接受美國當(dāng)?shù)貙?shí)驗(yàn)室所送案件, 用意在鼓勵其他地區(qū)以DOC方式認(rèn)證。
<注> 所謂自我認(rèn)證, 即經(jīng)由合格實(shí)驗(yàn)室測試完成后發(fā)行Test Report, 申請公司取得報(bào)告后于宣告信簽名即可。
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