繼電器的振動(dòng),可讓MOSFET在開關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞
發(fā)布時(shí)間:2018-03-16 來源:電子說 責(zé)任編輯:lina
【導(dǎo)讀】請注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機(jī)械開關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí),不要將機(jī)械開關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時(shí),由于繼電器的啟動(dòng)時(shí)間短,產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt),這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來的。
潛在問題:
當(dāng)MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),開關(guān)的開啟會(huì)導(dǎo)致MOSFET的破壞:由于機(jī)械開關(guān)的短暫時(shí)間,高的dvdt會(huì)激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量將集中在這種寄生晶體管上;這可以破壞寄生雙極晶體管,并破壞MOSFET本身。MOSFET在漏極源和源極之間的絕對(duì)短路損壞。
Note:由于繼電器的振動(dòng),MOSFET也可以在開關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞。
預(yù)防措施:
1.使用一個(gè)雙極晶體管,用一個(gè)穩(wěn)壓二極管保護(hù)來限制振蕩電壓,其值低于VCEmax。39vzener電壓是接受拋負(fù)載的推薦值。
2.使用一個(gè)zener保護(hù)二極管,其電壓低于MOSFET的第二次擊穿電壓(第二個(gè)擊穿電壓可以低到50%的VDSmax)選擇MOSFET(第二次擊穿電壓為39V)。
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