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利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations，包含內(nèi)部集成PowiGaN?開關的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(...
2021-10-27
氮化鎵芯片組 反激式電源
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2022廈門國際照明展覽會
隨著城市經(jīng)濟以及城市建設的迅速發(fā)展，照明行業(yè)也進入了快速發(fā)展期，建立了產(chǎn)、銷、研的完整產(chǎn)業(yè)鏈，基本滿足了國內(nèi)市場的需求，并形成國際最大的照明產(chǎn)業(yè)基地。各地的城市照明工作也取得了顯著成果，照明行業(yè)獲得更大的發(fā)展空間，整體市場規(guī)模持續(xù)增長。
2021-10-26
廈門國際照明展覽會 照明行業(yè)
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CS5350/CS5328 太陽能板供電鉛酸蓄電池、磷酸鐵鋰電池、鋰電池充電管理IC系列
2021年全國各地分時限電充分暴露我國嚴重的電力缺口，節(jié)能減排是當下的熱門話題。太陽能是天然環(huán)保的大自然能源。隨著單晶硅，多晶硅等太陽能光電轉(zhuǎn)換材料的技術發(fā)展，太陽能廣泛應用于路燈電源，通訊設備電源，廣播設備電源等各個領域以及生活場景?；谔柲艽嬖跁r間的特殊性，一般情況下都需要...
2021-10-25
太陽能板 鋰電池充電
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碳化硅功率晶體的設計發(fā)展及驅(qū)動電壓限制
傳統(tǒng)上在高壓功率晶體的設計中，采用硅材料的功率晶體要達到低通態(tài)電阻，必須采用超級結(jié)技術（superjunction），利用電荷補償?shù)姆绞绞估诰樱‥pitaxial layer）內(nèi)的垂直電場分布均勻，有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。
2021-10-25
碳化硅功率晶體 驅(qū)動電壓
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貿(mào)澤電子贊助2021年安森美電源在線研討會
2021年10月21日 – 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很榮幸能成為2021年安森美電源在線研討會的贊助商。本次研討會將從10月29日至11月26日進行電源在線直播，5場技術演講將從功率因數(shù)、建模、仿真、驗證、LLC諧振、同步整流等不同方面深入探討如何優(yōu)化電...
2021-10-22
貿(mào)澤電子 安森美 電源
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如何通過能量收集技術延長無線傳感器節(jié)點的電池續(xù)航？
無線傳感器節(jié)點正越來越多地應用于我們的日常生活中，因為它們適合在多種多樣以及難以到達的環(huán)境中使用。它們不需要接通電源，因為它們通常都連接到電池。
2021-10-20
無線傳感器 電池續(xù)航
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電源適配器噪聲產(chǎn)生原因及解決措施
傳導干擾主要評估輸入和輸出線上流過的干擾噪聲。待測試的設備EUT通過阻抗匹配網(wǎng)絡LISN 連接到干凈的交流電源上。
2021-10-20
電源適配器 噪聲
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件重載時溫度更低
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2021-10-20
SiC MOSFET高 PoE 智能樓宇 國產(chǎn)器件
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應對一致性測試特定挑戰(zhàn)，需要可靠的PCIe 5.0 發(fā)射機驗證
由于 5G 和IoT互聯(lián)設備及相關高帶寬要求預計將大幅度攀升，所以數(shù)據(jù)中心運營商需要遷移到帶寬更高的網(wǎng)絡，其中的帶寬要超過當前通常使用的100 GB 以太網(wǎng) (100GE)。 遷移到下一代 400GE 網(wǎng)絡要求更快速的內(nèi)存和更高速的串行總線通信。除了把以太網(wǎng)接口升級到 400GE，服務器還需要采用速度更高的串行...
2021-10-20
PCIe 發(fā)射機 5G IoT 互聯(lián)設備
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