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解析單片機(jī)中斷處理過程、中斷返回、中斷撤除
中斷響應(yīng)是CPU對(duì)中斷源中斷請(qǐng)求的響應(yīng)，包括保護(hù)斷點(diǎn)和將程序轉(zhuǎn)向中斷服務(wù)程序的入口地址(通常稱矢量地址)。
2018-02-24
單片機(jī) CPU 中斷
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雙極結(jié)型晶體管差分放大器的溫度補(bǔ)償
人們普遍認(rèn)為，使用雙極結(jié)型晶體管（BJT）電流源可以對(duì)雙極結(jié)型晶體管差分放大器進(jìn)行溫度補(bǔ)償，但事實(shí)并非如此。對(duì)I0進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)玫匠?shù)re，會(huì)導(dǎo)致電流源外部發(fā)射極電阻R0上的電壓低，從而無法精確設(shè)置I0。本設(shè)計(jì)實(shí)例分析了BJT差分放大器的發(fā)射極電路電流源I0，及其不同實(shí)現(xiàn)方式對(duì)放大器增益的影響。
2018-02-24
晶體管 放大器 溫度補(bǔ)償
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檢測(cè)高階電流的各種技巧
絕大多數(shù)直流電流檢測(cè)電路的核心設(shè)計(jì)思路，是從供電線路中的電阻下手。人們只需簡(jiǎn)單地測(cè)量電阻兩端的電壓降，并根據(jù)需要調(diào)節(jié)阻值來讀取電流。如果檢測(cè)電阻在接地支路上，那么方案就是個(gè)簡(jiǎn)單的運(yùn)算放大電路…
2018-02-23
傳感/MEMS 放大/調(diào)整/轉(zhuǎn)換 技術(shù)實(shí)例
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如何對(duì)高頻變壓器內(nèi)部進(jìn)行emi布線？
很多工程師都知道開關(guān)電源變壓器在繞線時(shí)在原邊繞組和副邊繞組之間加一個(gè)繞組并接地可以起到屏蔽作用，但到底是怎么樣一個(gè)機(jī)理？有些工程師并沒有很好的理解。
2018-02-22
高頻變壓器 emi 布線
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橫跨隔離柵的電涌：數(shù)字隔離器為加強(qiáng)絕緣確立標(biāo)準(zhǔn)
傳統(tǒng)上，光耦合器用于隔離多種電氣設(shè)備中潛在的危險(xiǎn)電壓。如今，基于變壓器或容性耦合技術(shù)的現(xiàn)代數(shù)字隔離器得到了廣泛應(yīng)用?；谧儔浩鞯臄?shù)字隔離器擁有諸多優(yōu)勢(shì)，比如高性能、集成功能、低功耗、出色的長(zhǎng)期可靠性以及更高的易用性等。
2018-02-11
隔離柵 電涌 數(shù)字隔離器 ADI
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淺談晶振負(fù)載電容的計(jì)算方法以及需要注意的地方
圖中CI,C2這兩個(gè)電容就叫晶振的負(fù)載電容,分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容，一般在幾十皮法它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般訂購(gòu)晶振時(shí)候供貨方會(huì)問你負(fù)載電容是多少。
2018-02-09
晶振 負(fù)載電容
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詳解ADI的MEMS開關(guān)技術(shù)
在過去的30年間，MEMS開關(guān)被一致認(rèn)為是性能有限的機(jī)電式繼電器的優(yōu)越取代品。 透過易于使用、能夠以損失最小的情況下，可靠的進(jìn)行從0 Hz/dc至數(shù)百GHz路由的小型開關(guān)，因而徹底改變了電子系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的方法。
2018-02-08
MEMS ADI 開關(guān)
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大咖詳談FPGA，簡(jiǎn)介、工作原理等
如前所述，是在PAL、GAL、EPLD、CPLD等可編程器件的基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展的產(chǎn)物。它是作為ASIC領(lǐng)域中的一種半定制電路而出現(xiàn)的，即解決了定制電路的不足，又克服了原有可編程器件門電路有限的缺點(diǎn)。
2018-02-08
FPGA 結(jié)構(gòu)
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簡(jiǎn)述小型化MEMS傳感器技術(shù)
微加工已經(jīng)成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)傳感器的小型化。能夠通過使用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)，減少傳感元件的尺寸允許顯著減小尺寸。積分信號(hào)處理沿著感測(cè)元件進(jìn)一步增強(qiáng)了機(jī)會(huì)，以減少系統(tǒng)的大小，省去了額外的引腳鏈接到外部設(shè)備。
2018-02-07
MEMS傳感器 傳感器
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